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mos管vds电压是多少,关于mos管的开启电压问题

来源:整理 时间:2023-03-05 02:06:15 编辑:亚灵电子网 手机版

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1,关于mos管的开启电压问题

3842的6脚儿出来的驱动电压到底多少V呢? 00:00 / 02:2570% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

关于mos管的开启电压问题

2,MOS管能否完全打开实验

为验证MOS管能否完全打开,将控制器的输出占空比设置为100%, 并接上PCB检验台上的假负载(7Ω左右电阻)。 在此条件下测量MOS管的参数。 Mos管编号1 电源电压(伏特)30 24 9 升压后电压(伏特)38.4 32.49 13.9 Mos管Vds(伏特)0.47 0.35 0.162 mos管Vgs(伏特)9.73 9.58 5.253 Mos管Id(安培)3.975 3.038 1.041 Mos管内阻(毫欧)118 115 155 热损耗(瓦特)1.8 1.0 0.16 在9-30V不同电压下,MOS管Vgs均大于5V,大于MOS管的VGS(th)(2-4V), 因此控制器上的mos管可完全打开。

MOS管能否完全打开实验

3,ASEMI中低压MOS管ASE60N10的详细参数是多少

型号:ASE60N10漏极-源极电压(VDS):100V栅源电压(VGS):±20V漏极电流(ID):60A功耗(PD):160W储存温度(Tstg):-55 to 175℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ二极管正向电压(VSD):0.85V输入电容(Ciss):3969pF二极管反向恢复时间(trr):35nsASE60N10封装规格:封装:TO-263总长度:16mm本体长度:10.8mm宽度:10.2mm高度:4.7mm脚间距:5.28mmASE60N10特征:低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的门电荷:Qg=146.1nC(典型值)。BVDSS=100V,ID=60ARDS(开启):17m? (最大值)@VG=10V100%雪崩测试

ASEMI中低压MOS管ASE60N10的详细参数是多少

文章TAG:mos管vds电压是多少mos管电压多少

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