一个场管防反可以过多少电流，请问场效应管IRFP2907驱动频率在15K20K最大可以流过多少A电流

来源：整理时间：2023-02-21 03:01:33 编辑：亚灵电子网手机版

1，请问场效应管IRFP2907驱动频率在15K20K最大可以流过多少A电流

品牌：IR 型号：IRFP2907基本参数批号：06 封装：TO-247 技术参数漏泄电流：209A 直流输入电阻：4.5m 耗散功率：470W 击穿电压：75V

你好！我会继续学习，争取下次回答你希望对你有所帮助，望采纳。

请问场效应管IRFP2907驱动频率在15K20K最大可以流过多少A电流

2，qx5241 能驱动多大的场管驱动输出电流多大

QX5241 是一款降压、恒流、高效率的高亮度 LED 驱动器。输入电压范围从5.5V 到36V。通过外接一个电阻设定输出电流。通过DIM 引脚实现辉度控制功能。QX5241 特别适合宽输入电压范围的应用。

你好！最大4A左右吧，需要把采样电阻距离芯片最近，新版本的应该可以做6A左右电流如有疑问，请追问。

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3，假设一个二极管在50度时的反向电流为10uA试问它在20度和80度时

首先，反向电流是由于本征激发产生的少数载流子通过漂移产生的微弱电流。管子做好后，其值是一定的。只有温度能改变它，因为温度会影响本征激发。（当然反偏电压会加速少数载流子的漂移运动，但反偏电压超过一定值后，反向电流将不再随其增大而增大，所以也叫反向饱和电流。）最近也在研究二极管，这是我看书的理解，希望多交流一起进步。谢谢！另外给你推荐一个ON的肖特基二极管的PDF，第三页的 Figure 2 ，应该对你很有帮助。http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/NSR05F30.PDF

随温度升高，反向载流子增多，所以80度时，可能为30uA；20度时为8uA。这个回答满意吗？

假设一个二极管在50度时的反向电流为10uA试问它在20度和80度时

4，使用场效应管控制电流问题

对于JFET来说，有增强型和耗尽型两种，如果是耗尽型，当栅源电压为零时，场效应晶体管导电沟道就是存在的，所以一定会有电流。但是如果你用的是增强型管子，理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时，完全不会有电流，但是这也不可能，因为，反向漏电流是一定存在的。如果是mos，也是一样的，因为mos和JFET都有漏电流，pn结也有，我们一般所知道的pn结单向导电性只是忽略了其反响漏电流的影响。如果要减少漏电流的影响的话，第一，从工艺上改进，也就是做更好电学特性的场效应管，比如离子注入或增加栅氧厚度或采取更高介电系数的介质，以调节阈值电压，但这基本是不能做到的，因为我们不是厂家，我们的特殊需求成本太高。而且工艺上的东西都是很难说的，“蝴蝶效应”知道吧？对微电子器件尤其是对集成电路的生产都会造成巨大影响。那么如何改善，我的想法是，串入一电流源，其电流方向与漏电流方向相反，大小基本相同，抵消漏电流的影响。但是电流源也是由晶体管组成的，一样会有漏电流，所以，如果漏电流对你的电路影响不大的话，不需要采取什么措施。一般情况下其影响都是不大的，因为如果微小的漏电流必然影响电路特性的话，那我们还用各种晶体管做什么呢？

这个很简单，只是使用过mos管的人远不如使用过三极管的人多而已。mos管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制g脚来实现对管子电流的控制。一般市面上最常见的是增强型n沟通mos管，你可以用一个电压来控制g的电压，mos管导通电压一般在2-4v，不过要完全控制，这个值要上升到10v左右。给你推荐一种方法。基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12v和地，比如lm358当比较器），比较器的输出经过5.1k电阻上拉后接g脚，如果控制电压比参考电压高，则控制mos管导通输出电流。参考电压可以来自于采样电阻，也就是在nmos的s极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，这时候g脚基本上都加了12v，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0v）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。如果你用d/a输出代替控制电压，则可以获得对mos管的精确控制，我们以前实现过输出范围10-2000ma，步进1ma，输出电流精度正负1ma的水平。

5，三极管三个电极的电流存在什么关系

下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理b极提供（输入） c提供能量 e输出常用在模电还有一个重要的特点，而C点电位高于b点电位几伏时;Ib式中，这就是所谓电流放大作用，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，同时基区做得很薄;△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数。由于基区很薄，要严格控制杂质含量，即。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，所以有时为了方便起见：β1=Ic/,三条引线分别称为发射极e，β值约为几十至一百多： β= △Ic/，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的、基极b和集电极c，但因前者的浓度基大于后者，Ic与Ib是维持一定的比例关系，这样，通过电阻转变为电压放大作用，在基极补充一个很小的Ib，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为，就可以在集电极上得到一个较大的Ic。对于NPN管,加上集电结的反偏，集电结处于反偏状态，发射结处于正偏状态，而且，这股电子流称为发射极电流Ie，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo，从而形成了基极电流Ibo：β1--称为直流放大倍数，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，所以通过发射结的电流基本上是电子流，由于低频时β1和β的数值相差不大.根据电流连续性原理得：Ubc在线性电路中通常为0，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散.7v 这个性质可以稳压稳流等饱和，由于发射结正偏。三极管是一种电流放大器件。在三极管时，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，一旦接通电源后，对两者不作严格区分，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，两者除了电源极性不同外。当b点电位高于e点电位零点几伏时：Ie=Ib+Ic这就是说，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，其工作原理都是相同的,而集电区与基区形成的PN结称为集电结：锗管和硅管：利用它的开关特性常用在数字电路晶体三极管按材料分有两种，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用

发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。

6，稳压二极管的反向击穿电压

稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装（简称玻封）稳压二极管和塑料封装（简称塑封）稳压二极管。塑封稳压二极管又分为有引线型和表面封装两种类型。稳压管的主要参数有：①稳压值VZ 。指当流过稳压管的电流为某一规定值时，稳压管两端的压降。②电压温度系数。稳压管的稳压值VZ的温度系数在VZ低于4V时为负温度系数值；当VZ的值大于7V时，其温度系数为正值；而VZ的值在6V左右时，其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数，可得到很好的温度补偿。③动态电阻rZ。表示稳压管稳压性能的优劣，一般工作电流越大，rZ越小。④允许功耗PZ。由稳压管允许达到的温升决定，小功率稳压管的PZ值为100～1000mW,大功率的可达50W。⑤稳定电流IZ。测试稳压管参数时所加的电流。实际流过稳压管的电流低于IZ时仍能稳压，但rZ较大。稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源，也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是噪声系数较高，稳定性较差。

这个跟电压关系不大，只要加的电压大于稳压值就可以。主要跟反向电流有关，也就是加了一个反向电压后，要确保通过二极管的反向电流达到一定的数值，才能进入稳压状态，基本电路就是input ---r----a----d(负)(正)。　　稳压二极管：稳压二极管，英文名称zener diode，又叫齐纳二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性，稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。

7，MOS管可以双向流通电流反向时电流是流过沟道还是体二极管

MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。

光电耦合器(以下简称光耦)是一种发光器件和光敏器件组成的光电器件。它能实现电—光—电的变换，并且输入与输出是隔离的。目前极大多数的光耦输入部分采用砷化镓红外发光二极管，输出部分采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。这是因为峰值波长～nm的砷化镓红外发光二极管能与硅光电器件的响应峰值波长相吻合，可获得较高的传输效率。光耦的结构光耦的内部结构(剖面)如图1所示。光耦输入部分大都是红外发光二极管，输出部分有不同的光敏器件，如图2所示。这里要说明的是，图2(c)的输入部分有两个背对背的红外发光二极管，它用于交流输入的场合；图2(d)采用达林顿输出结构，它可使输出获得较大的电流；图2(e)、2(f)的输出由光触发双向可控硅组成，它们主要用来驱动交流负载。图2(e)与图2(f)的差别是图2(f)有过零触发控制(图中的&lduo;ZC&rduo;即&lduo;过零&rduo;的意思)，而图2(e)没有过零触发控制电路。基本电路光耦的基本电路如图3所示。图3(a)的负载电阻RL接在发射极及地之间，图3(b)的负载电阻RL接在电源dd与集电极之间。在图3(a)中，输入端加上cc电压，经限流电阻Rin后，有一定的电流IF流经红外发光二极管，IF与cc、发光二极管的正向压降F及Rin的关系为：IF=(cc-F)/Rin。式中的F取1.3。IF的最大值由资料给出(一般工作时IF≤10mA)。发光二极管发光后，光电三极管导通，集电极电流Ic由dd经光电三极管流过RL到地，使输出电压out=Ic×RL(或out=dd-CE，CE为光电三极管的管压降)。图3(b)的工作原理与图3(a)相同，不再重复。图3中输入、输出也可用各自的地。从图3(a)可以看出；输入端不加cc电压，输出端out=0，输入端加了cc电压，负载得电，这个功能相当于&lduo;继电器&rduo;。如果在输入端加幅值为5的脉冲(如图4所示)，输出端dd=12，RL=10kΩ，则输出的脉冲幅值接近12，从这功一能来看，相当于&lduo;变压器&rduo;；若输入电压从0跃变到+5，输出则从0跃变到接近12，它又可用作电平转换。特点及应用范围光耦的主要特点：输入与输出之间绝缘(绝缘电压可达数千伏)；传输为单方向，输出不会对输入有影响；能传输模拟也可传输数字；抗干扰能力强；体积小、寿命长；由于无触头，因此抗振性强。近年来由于生产工艺改进，T的发展，出性能更好、尺寸更小的贴片式光耦，它由DIP6管脚封装改进成4管脚封装，不仅改小尺寸，并且减小了干扰，如图5所示，但有一些其管脚仍按6管脚排列，如图2所示。顶面有圆圈者为第1管脚，如图6所示。由于该类器件有上述特点，它主要应用于隔离电路、开关电路、逻辑电路、长线传输、线性放大电路、隔离反馈电路、控制电路及电平转换电路等。光耦主要参数本文介绍NEC及TOSHIBA生产的一些常用的贴片式光耦及其主要参数。主要参数如表1及表2所示。这里要说明一下电流传输比(CTR)这个参数的意义。CTR是Current Transfer Ratio 的缩写。它是在一定工作条件下(IF及CE)，光耦的输出电流Ic与输入电流IF的比值，一般用百分比表示，其值低的从几到几十，高的从几十到几百，达林顿输出型可达上千。CTR大，则在同样的IF下，输出电流Ic大，驱动负载的能力也强(或者说IF较小可获得大的Ic)。这里顺便指出，当用光电耦合器作交流传输时，必须考虑它的频率特性。采用GaAs发光二极管及硅光电三极管的光耦，其最高工作频率约为kHz；其响应时间小于10μs。在使用时要注意的红外发光二极管的反压R一般是很低的，有的R仅3。因此在使用时输入端不能接反，防止红外发光二极管因反压过高而击穿(可在1脚、3脚接一个反向二极管来保护，如图4所示)。光耦的简易测量方法光电三极管输出的光耦是应用最广泛的，若顶面印刷字迹或圆点看不清楚，可采用指针式三用表来测量，确认哪个管脚是1脚，并且也可简易测出光耦的好坏。由于它是一个二极管及一个三极管c、e极组成的，所以用R×1k挡来测量是十分方便的。只要测出一个二极管：黑表笔接二极管的阳极，红表笔接二极管的阴极，其阻值约30kΩ，则黑表笔端即1脚。如图7所示，其它三种测量都应是R=∞(表笔不动)。若光电三极管的测量电阻不是∞，则此光耦不能用。应用电路各种不同结构的光耦可满足输入、输出隔离；输入与输出共地或不共地；输入、输出是直流或交流，使用极为灵活，因此应用极为广泛，这里介绍一些典型应用电路。1．隔离线性放大器电路如果将输入的交流调制成与电压成比例的调制电流，则经光耦后再经放大可实现隔离线性放大，电路如图1所示。 +5电压及限流电阻（R1及RP）给发光二极管一个偏置电流IFO （一般IFO取得大一点，约10mA），交流电压经C1、R2后加在发光二极管上，叠加在IFO上形成调制电流。经光耦后输出调制的光电流，在R3上产生一个与输入电压成比例的调制电压，此电压经C2隔直，交流成分则经放大器放大输出。这里要指出的是经光耦的电-光及光-电转换，线性度不是很高。为了减小失真，偏置的电流IFO要大，电压产生的调制电流的峰值电流不超过5mA，可使输出电压失真较小。这种光电隔离放大器比隔离放大器要便宜得多。另外，光电三极管的地用表示（说明与输入电压不共地）。采用PS有较好的线性度，输入的频率可在音频范围。2．电监测电路图2是一种电监测电路，当停电时。采用TLP光耦经限流电阻直接与电连接，使光耦的发光二极管发光，光电三极管导通，使10kΩ电阻上的电压接近dd（光电三极管的饱和管压降小于0.5），外接功率MOSFET（T）的-GS＜1，则T截止，电路不工作。3.3μF电容是用来稳定T栅极的电压，防止交流电压过零使栅极电压变化太大而产生误动作。电停电时，发光二极管无电流，光电三极管截止，T 的-GS=9，T导通，电路工作。 Si是P沟道功率MOSFET，其主要参数是DS=-20，在GS =-10时RDS(ON)=0.25Ω，ID=±2.5A。8管脚SO封装，管脚排列如图3所示，使用时，四个D要焊在一起，两个S要焊在一起以便于散热。 3．防盗器电路一种用抽屉被撬防盗器电路如图4所示。它由光遮断器、遮断片及有关电路组成。光遮断器是一种光电传感器，它由红外发光二极管及光电三极管及黑色塑料外壳组成，其剖面如图4左边所示，其外形如图4右边所示。其工作原理与光耦完全相同，区别仅仅是它由遮断片来阻挡光路使光电三极管截止；当遮断片后移，发光二极管的红外光照到光电三极管，光电三极管导通。光遮断器安装在抽屉的底部，遮断片装在抽屉上，如图5所示。要使防盗器工作，接通cc（+5）及dd（+9）。抽屉未被撬时，遮断片遮住光路，光电三极管截止，T无ID，T也截止，光耦（TLPG）的发光二极管无电流，光触发双向可控硅截止，电路不工作。当小偷撬开抽屉，拉出抽屉时，遮断片退后，光遮断器光路通，光电三极管导通，T相继导通，光耦中的发光二极管工作，光触发双向可控硅导通，器电路工作。这个电路的特点是，一旦器工作，即使将抽屉关上，遮光片遮断光路，但双向可控仍然导通，电路仍一直，即使小偷发现光遮断器，将它破坏，但电路还工作。按一下开关K断开dd才能使电路不工作。这里CC的地与dd的地不共地，图中用两种地的符表示。由于光遮断器有多种型，要求发光二极管的工作电流IF各不相同，必要时要调整R1的大小，使其满足IF的要求。 TLPG的输出部分光触可控硅的最大工作电流在25℃时可达mA（随着温度增加而减小）。若电路工作电流大于80mA，最好外接T2，如图6所示。 4．交流固态继电器电路 TLPG光耦用得最广的是用作交流固态继电器。它可以与外接双向可控硅作简单连接来驱动电供电的各种负载。其电路如图7所示。输入三极管T的基极的控制为高电平时，T导通，红外发光二极管也导通（CC 经RIN、红外发光二极管、经T的C、E极到地），光触发双向可控硅导通；这使外接功率较大的三端双向可控硅导通，负载RL得电。其工作原理相当于图8中的控制开关：K闭合，双向可控硅导通；K断开，双向可控硅截止。如果将虚线框内的电路做成一个单独的模块，它就是一个交流固态继电器。图7的电路适合于电阻性负载，若是电感性负载，电路中增加一个RC，如图9所示。这种交流固态继电器有一个缺点，它的双向可控硅不是在交流电过零时触发导通，其结果是正弦波不完整，这瞬间会产生对电网的干扰。外接三端双向可控硅耐压要大于，工作电流应大于负载最大电流。5．过零触发交流固态继电器电路采用内部有交流电过零时触发电路（图10中的&lduo;ZC&rduo;部分）的ILPG光耦，可以做成过零触发交流固态继电器电路，如图10所示。它能在交流电过零附近触发双向可控硅，使交流波形完整，不会造成对电网的干扰。其工作原理与图9相同。图中的39Ω及0.01μF RC电路是一种浪涌电压吸收回路，它用来保护双向可控硅免于瞬态的过压而损坏。外接的三端双向可控硅选择方法与图9电路相同。硬件类一般都上硬之城看那里比较专业，专业的问题专业解决，这是最快的也是最好的方法，好过自己瞎搞，因为电子元器件的电子型号那些太多了一不小心就会弄错，所以还是找专业的帮你解决。