vce压降是多少，用万用表测量电子线路中的晶体管的VCE当VCEVG时晶体管处

来源：整理时间：2023-10-17 14:47:31 编辑：亚灵电子网手机版

1，用万用表测量电子线路中的晶体管的VCE当VCEVG时晶体管处

一般晶体管的饱和压降很小，也就是VCE小于0.5v以下可以认为处于饱和状态。

也许是的。

用万用表测量电子线路中的晶体管的VCE当VCEVG时晶体管处

2，三极管的饱和压降VCES的值究竟是1V还是03V还是应该根据其他的来

Vecs是Ic的函数，不同的集电极电流下各不相同。应该从三极管的输出特性曲线上去查找，就是最靠纵坐标的那条竖直斜线。在大电流应用时，2V、3V都有可能。

0.3V再看看别人怎么说的。

三极管的饱和压降VCES的值究竟是1V还是03V还是应该根据其他的来

3，Vcesat 是什么电压

是饱和电压降

以三相y型连接带中性线的线路中，线电压是任意两相（ab、ac、bc）之间的电压，为380v；相电压是任意一相对中性线的电压为220v。并且相电压是线电压的根号三倍。谢谢采纳

Vcesat 是什么电压

4，三极管导通CE间的电压是多少

三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

三极管的c-e结相当于一个二极管，当它导通时压降为，锗管0.2~0.3v，硅管0.5~0.8v。

硅三极管饱和导通时只有0.3V

分两种情况：1.饱和导通，VCE=0 相当于开关接通。 2.管子在线性区的放大状态时的导通，有如下关系：电源电压=(IC*RC)+VCE VCE随着集电极电流IC的变化而变化，其变化幅度在0-电源电压之间。

5，集电极电压vCE VCC 一iCRC

这是在BJT的发射极不接电阻时的公式ICRC是集电极上的电压降

要理解这个，首先要把各种回路看明白。1.电源供电回路，电流从vcc分两路：①基极偏置电路>基极>发射极>地>流回电源负极。②集电极电阻>集电极>发射极>地>流回电源负极。2.信号源回路①输入信号源回路：交流信号通过耦合电容>基极>发射极>地>流回信号源。②输出回路：三极管集电极>输出耦合电容c2>负载>地>流回三极管发射极。在这里，三极管的ce结就相当于信号源，它就是模拟be结上的信号并且放大了数倍的信号。

应该是集电极电压=总电压-集电极电流*集电极负载电阻

6，如何计算三极管饱和压降

饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。

三极管的饱和压降一般是常数，硅管约为0.3V，锗管约为0.·1V

测试三极管饱和压降vce(sat)，顾名思义就是测试三极管在饱和状态时vce的数值。具体到某一个型号的三极管，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2sc3852是一个低饱和压降的三极管。它的测试条件中规定了要在ic=2a,ib=50ma条件下测试vce的数值。

7，小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v有人能解释清楚吗

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。扩展资料：常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。参考资料来源：百度百科-三极管

硅管0.3不通导，锗三极管0.3通导，应该是书写错了，锗三极管早就停产，可能是老教材

8050npn三极管小电流饱和Vce好像只有0.01v左右，不到0.1v

对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue)，集电结正偏(Ub>Uc)，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0.7V的，否则就不能满足饱和的条件了。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？你们书写错了，饱和时的VCE不可能是0.7V，而是0.3V！

3楼说的不错，我补充一点，小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。

在管子饱和导通时，二个结正向偏置，Vbe约0.7V，Vbc=0.3--0.4V（不为0）；故Vce=Vbe-Vbc=0.3V左右。不知道这样的解释使你满意吗？呵呵！再看看别人怎么说的。