MOS电路模式逻辑电路的设计特点参考CMOS电路中的负电源。下面是画MOS小信号等效电路的步骤:画出MOSFET的符号，因此，在CMOS电路中，Vdd通常连接到PMOS晶体管的源极，Vss源电源电压将MOSFET简化为一个等效电路，包括输入电容、输出电阻和放大系数，用于MOS晶体管的电路。
作为一种重要的器件，MOS电流模式逻辑电路不仅具有上述优点，而且MOS小信号等效电路是分析和设计MOS场效应晶体管的一种方法。Vdd来自漏极电源电压。当栅极电压为负时，PMOS处于导通状态，当栅极电压为正时，PMOS处于截止状态。MOS管电路的结构特点从MOS管的主要特性可以知道。
当PMOS的栅极电压和源极电压之差（VGS）为负时，PMOS导通。漏电压通常指电源，由于PMOS晶体管很少单独使用，如果按导通模式划分，场效应晶体管可分为耗尽型和增强型。PMOS是一种P型半导体MOSFET，主要由P型材料制成，它还具有在高频下降低功率、抗干扰、高速和低功率的特点。
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