这是基于栅极电压可以通过控制源极-漏极电压来控制电流的效果。因此，我们可以使用栅极电压来控制场效应晶体管的输出并实现放大，由于FET是电压控制元件，其工作状态主要由栅源电压UGS决定，从而场效应晶体管导通，输出电压等于输入电压；当控制信号是PWM时，输出是相同的PWM信号，但峰峰值是输入电源电压值。
我们知道普通三极管是通过输入电流来控制输出电流的。但是关于场效应晶体管。场效应晶体管按材料可分为结型晶体管和绝缘栅型晶体管。看来你需要的是一个N沟道MOS晶体管。网上具体型号和驱动电路太多了，我就不贴了。我只是简单介绍一下:MOS晶体管是压控器件，常规的N沟道MOS晶体管控制电压。作为开关元件，场效应晶体管在关断和导通状态下都工作。
从图中可以看出，N沟道FET的源极和漏极连接到N型半导体，P沟道FET的源极和漏极也连接到P型半导体。当栅极/基极（G）电压小于源极（S）电压（负载电源电压）时，输出为，当栅极电压为0时，输出与上拉电阻相连，上拉电阻与0的电压相连，in为输入，同相。
电压，这可能行不通。IRF的n沟道场管，当栅极电压较高时，沟道变宽，电流增强，对于P通道磁场管和IRF，两种方案都是低电平电磁阀打开和高电平电磁阀关闭。或者栅极/基极（G）电压大于或等于源极（S）电压，则从源极（S）到漏极（D）的电阻非常大，因此可以认为源极（S）到漏极（D）断开，负载不工作，反转输入。
