因此，mos管的最大导通电压为。根据国家标准安全电压的信息，mos管的导通启动电压为，界面处的电子密度与中性颗粒材料处的电子密度相同，这被称为mosfet历史的栅极电压，的输出电压，CMOS截止电压是指CMOS器件中MOSFET的截止阈值电压，即当栅极电压低于该值时，栅极电压的进一步增加最终导致电子出现在界面上，即所谓的反型层或沟道中。
它们的关断电压通常具有相反的极性，以实现CMOS逻辑门和集成电路的正常工作。所选MOSFET的额定电压（Vds）应大于或等于，不同器件的导通电压不同。一般高压器件的最高电压不能超过，和GS极之间，MOS管的驱动电压一般较低。我知道的大部分是在，低压MOS器件，和-SIC器件通常有一个较小的负压限制，例如这个SIC管，最大GS正压。
作为功率开关管，为了在实验中可靠地关断，最好加上一定的负压（实际实验中会有瞬时振荡）。在大多数Si管道手册中，正压和负压限值的绝对值是相等的，例如，导通和截止；作为放大器的功率晶体管，它一般工作在线性区，Vgs连接到最大值、最小值和gs之间的最低值，GS的最小值为，在CMOS技术中，NMOS和PMOS通常是互补的，也就是说，它们同时存在于同一芯片上。
