mos结温一般多少，主板mos管温度多少正常

1，主板mos管温度多少正常

mos管的正常工作温度为60度~95度，在120度的工作温度在10分钟内便会内部击穿，无法继续工作。

主板mos管温度多少正常

2，MOS场效应晶体管的设计

你的MOS管用在什么场合，如果工作在放大区，可以参考一楼的办法。如果工作在饱和或截止区，需要考虑以下几点：1.MOS管关断瞬间及整个关断时间段内，Vds承受的最大峰值电压。2.MOS管饱和导通时，Id流过的峰值电流和有效值电流。3.MOS管在任何时候，结温不能超过（150-5）度。4.MOS管在任何时候，稳态驱动电压Vgs不能超过±20V，瞬态Vgs不能超过±30V5.MOS管在最恶劣工况下的功耗，结合第3条评估结温降额。6.某些应用场合，MOS管的寄生体二极管会造成不利影响，需要评估可靠性风险。7.不同封装的MOS管热阻不同，安装方式和爬电距离也不一样，需要综合评估。

MOS场效应晶体管的设计

3，请教MOS管大家常说多少安培的MOS耐压多少伏特的MOS具体是指MOS管的

Mosfet参数含义说明 Features: 1、Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 2、Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 3、Pd: 最大耗散功率 4、Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 5、Ear: 重复雪崩击穿能量 6、Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 7、Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 8、Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 9、Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 10、Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.

请教MOS管大家常说多少安培的MOS耐压多少伏特的MOS具体是指MOS管的