碳化硅二极管正向压降多少，硅二极管正向电压约为多少

来源：整理时间：2023-11-14 13:59:50 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，硅二极管正向电压约为多少
2，碳化硅二极管的压降VF有多少
3，硅二极管的正向导通电压为07V左右但用数字万用表的二极管档测出
4，物理
5，一个硅二极管可以产生多少电压降
6，碳化硅二极管的优势有哪些

1，硅二极管正向电压约为多少

锗二极管正向导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

硅二极管正向电压约为多少

2，碳化硅二极管的压降VF有多少

二极管的管压降绝对是根据其两端电压变化而变化的。所以晶体管手册上有关压降项下都会设定一个测量和工作电压值的。

碳化硅二极管的压降VF有多少

3，硅二极管的正向导通电压为07V左右但用数字万用表的二极管档测出

主要是万用表的内阻上会有一点压降，当万用表输出的电流达不到规定值时，测量的二极管电压也不会达到0.7V。因为，二级管的伏安特性上，达到0.7V是对应有一个电流的。

你好！万用表是有内阻的，测量时这个内阻就会并联在被测电阻的两端，会产生测量误差。希望对你有所帮助，望采纳。

硅二极管的正向导通电压为07V左右但用数字万用表的二极管档测出

4，物理

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5，一个硅二极管可以产生多少电压降

硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V，但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的，而是有一个向右倾斜的斜率（如图），即是说正向压降会随工作电流增大而增大。实测某些2CZ和1N4000系列的硅整流二极管在500mA电流时，其正向压降会接近1V。因此二极管正向电压降的具体数值要根据工作电流和产品手册才能准确确定（另外还随温度变化而变化），但作为估算值，一般说0.7V是没错的，因此我也对楼上的回答点赞。

因为二极管p型区和n型区在接触在一起之后p型区的电子和n型区的空穴会复合，也就是电子舔到了空穴里，这样形成了一个pn结，但是这样也形成了一个电势壁垒，也就是说当电压低于一定程度时不足以克服pn结形成的电势壁垒，不能使二级管导通。

6，碳化硅二极管的优势有哪些

　　1.宽禁带提高了工作温度和可靠性宽禁带材料可提高器件的工作温度，6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV，相应本征温度高达800℃以上;即便就是禁带最窄的3C-SiC，其禁带宽度也达到2.3eV左右。用碳化硅做成功率器件，其最高工作温度有可能超过600℃，而硅的禁带宽度为1.12eV，理论最高工作温度200℃，但硅功率器件结温大于150℃~175℃后，可靠性和性能指标已经明显降低。　2.高击穿场强提高了耐压，减小了尺寸高的电子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高。同时，由于电子击穿场强提高，在增加渗杂密度条件下，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低，因此可减小功率器件的尺寸。　　3.高热导率提高了功率密度热导率指标越高，材料向环境中传导热的能力越强，器件的温升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，同时更适合在高温环境下工作。　　4.强的抗辐射能力，更适合在外太空环境中使用在辐射环境下，碳化硅器件的抗中子辐射能力至少是硅的4倍，因此是制作耐高温、抗辐射的电力电子功率器件和大功率微波器件的优良材料。