mos管GS击穿电压多少，我想知道IRF540N 的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通最大能加到

来源：整理时间：2023-02-04 06:14:28 编辑：亚灵电子网手机版

1，我想知道IRF540N 的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通最大能加到

2-4V就开始导通，D、S极间最大电压不能超过100V。如图所示。

我想知道IRF540N 的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通最大能加到

2，mos管 GS击穿求解谢谢线路如图

KM线圈两端应该有漏电二极管，否则线圈断开时产生的高压脉冲加到Mos管上造成损坏。

mos管 GS击穿求解谢谢线路如图

3，大家常说多少安培的MOS耐压多少伏特的MOS具体是指MOS管的

Mosfet参数含义说明 Features: 1、Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 2、Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 3、Pd: 最大耗散功率 4、Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 5、Ear: 重复雪崩击穿能量 6、Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 7、Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 8、Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 9、Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 10、Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.

大家常说多少安培的MOS耐压多少伏特的MOS具体是指MOS管的