添加到MOS晶体管的Vgs实际上为Cgs电容充电。随着Vgs越来越大，Rds会越来越小，Vds上的电压也会越来越小，Vgs上的电压将首先抵消Cgd上的电压，然后为Cgd充电，而Vgs上的电压将继续上升，直到稳定为止，a . a . Vgs的导通电压和最大耐受电压b.Vds最大耐受电压Rds越小，Ids能承受的最大电流越好c .当电路中使用温度MOS管时，必须使用示波器测量MOS管上的g/d/s电压，即Vd。
NMOS是一种电压控制装置。当Vgs电压大于开启电压时，内部通道开启。当VGS电压较低时，内部通道关闭。因此，应特别注意内部保护二极管和输入输出电容。我的第一个电子电路实验，测试mos晶体管压控电流模式器件。MOS晶体管半桥驱动芯片的原理自举升压是一种通过对电容充电来获得更高电压的技术，可以使驱动MOS晶体管的G电极电压始终大于或等于Vgs（th），从而达到稳定的开关状态。
当输入电压低于两个调节器的调节电平时，必须考虑NMOS阈值电压。当电阻Rgs并联到gs引脚时，需要避免MOS管产生误导并工作在不确定状态。根据测试结果，mos输出电流随GS电压3V至54V之间的输入电压而变化，线性度良好。必须了解MOS管中存在结电容CGS，MOS管常见的失效原因有:a . DS电压损坏的雪崩击穿b .过大的电流损坏c .体二极管损坏d .静电损坏e.gs过压损坏g.gs谐振损坏h .过热损坏。
2A阈值电压（Vgs（th） Id）3V 250 ua。电源电压为3v直流，负载电阻为1K和2K。品牌:CJ（江苏长电/长晶）制造商型号:CJ3401封装:SOT-23属性参数值目录场效应晶体管（MOSFET）类型P沟道漏极-源极电压（Vdss）30V连续漏极电流（Id）2A电源（Pd）350 MW导通电阻（RDS（On） Vgs，
在自建H桥驱动电路时，需要选择合适的MOS晶体管和半桥驱动芯片，并注意MOS晶体管的漏极电流、栅源阈值电压和漏源导通电阻等参数。Vg，这种电缆连接在两段铁轨之间，以确保铁轨之间有电，电压通常不高，选择型号时需要考虑Ids、Ron、Vgs、Vds、封装尺寸等因素。开机后，可以看到显卡的风扇不转了，这意味着电压不足。
