随着肖特基接触基础理论的成熟，基于金属-半导体接触形成肖特基势垒原理的肖特基势垒二极管研究逐渐升温。肖特基二极管的基本原理是利用形成的肖特基来阻挡金属（如铅）与半导体（N型硅片）接触面上的反向电压，至于生产过程，随着半导体技术的发展，肖特基势垒二极管（SBD）逐渐成熟。
我们公司肖特基的强电参数是正向电流，肖特基和PN结的整流原理根本不同。肖特基势垒阻碍了二维衬底和金属结处的电子流。肖特基二极管是一种快速恢复二极管。首先，热蚀刻技术显著提高了二维晶体管的质量并抵消了肖特基势垒。肖特基二极管通常用作高频、低压和大电流整流二极管。
其次，与EBL不同的是，热蚀刻技术使芯片制造商很容易获得二维半导体图像，然后在所需位置描绘电极。它的显著特点是极短的反向恢复时间（小至几纳秒）和只有正向导通电压降，这些是基本参数，但总的来说，我们的TUV测试数据要比上面的好得多，这可以详细了解，单片机与TTL无关。LS是小规模集成电路，但TTL在美国的命名是:晶体管-晶体管-逻辑电路。
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