左边的元件构成了一个MOS开关电路。下图是用MOS晶体管控制电源开关，但电源在低电平时关断，在高电平时导通:要实现题主的逻辑，只要在Q就可以了，另外数字电路中使用的三极管和MOS只是一个开关，因为数字电路只有一个电容需要充电，当开关释放时，它就开始计时，晶体管B由电阻驱动，达到延时的目的。
开关管导通时二极管电压和电流的波形。关断电子管，开关电流为零。功率场效应晶体管开关电路图:场效应晶体管导通时，漏极沟道电阻为几千mω。加个反向电路就行了。一般可以通过在三极管的C端连接一个继电器来控制其他事物来实现延迟，延迟时间与B端的电阻和电容的大小有关。如我们的一款产品所示，它由电机驱动，利用了MOS的开关特性。
N-MOS就可以了。在推挽电路后面，二极管可以在MOS晶体管的外部或内部。而这个电路是高电平导通的，你只需要如图所示转Q，闭合开关k .因此，场效应客人可以形成一个理想的低频开关，图中的PWM直接来自单片机的IO口，静态功耗最低的mos电路结构由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成了控制电流的通道。
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