特点N沟道增强型电子管:需要在源极之间增加一定的直流电压来打开电子管，并且存在打开电压Ugs。目前只有SMD MOS管用于各种开关电源和充电器中，其导通电压较低，为了达到所需的电压、电流和功率，一些酒吧朋友经常将MOS管并联和串联在一起，你要知道MOS管只相当于一个快速开关，由于不同，每个管都必须首先打开，此时，线电压可能会超过MOS管的耐压并将其炸毁。
然而，只有在增强型MOS晶体管导通后，这种耐压高达数百伏的MOS晶体管的导通电压才较大，这是普遍存在的。耗尽型MOS晶体管的VGS（栅极电压）可以由正电压、零电压和负电压控制。耗尽型和增强型的主要区别在于当G栅极没有施加电压时，耗尽型MOS晶体管中存在导电沟道。MOSFET又称绝缘栅场效应晶体管，分为:N沟道增强型晶体管和N沟道耗尽型晶体管；p沟道增强型晶体管、p沟道耗尽型晶体管。
输出电压范围，端子升压和稳压IC，IC的最低工作电压只有，用于电压通断的MOS晶体管应该大于US，用于信号切换的MOS晶体管:UG大于US，芯片在电流不大时直接升压，输出约为0，耐压为0。需要大电流时扩展MOS。VMOSFET的漏极电流Id为，MOS管有三个引脚，即栅极G、源极S和漏极D，用于连接外部电路。
将出现导电通道；两者的控制方式也有所不同，就是日常生活中常见的MOS管，而SO-L、SO-我们常见的章鱼MOS管。以上，且开启时必须工作在饱和导通状态，中间销是，大部分在下面。MOS，，海飞乐科技，台湾省芯片，采用TO-TO-，SOT-，LN封装均可使用，需要注意的是，如果芯片，BL。
