mos开关时间多少合适，开关电源mos驱动波形上升时间控制在多少比较好

来源：整理时间：2024-02-11 09:13:41 编辑：亚灵电子网手机版

1，开关电源mos驱动波形上升时间控制在多少比较好

开你的开关频率，以及能接受的损耗还有EMI的效果了。一般在开关周期的1/20~1/10。比较重视效率就快一点，比较重视EMI慢一点。（软开关的话随意点没啥问题）

开关电源mos驱动波形上升时间控制在多少比较好

2，mos管关断时间有多大

mos管关断时间有多大，答：mos管导的开关频率不是固定。理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的。常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高。MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

mos管关断时间有多大

3，用于ACDC开关电源的高压MOS管要怎么选

AC-DC开关电源就是通常的开关电源问题归结为；开关电源的MOS管要怎么选就简单明了漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，0N60的阻抗为0.7Ω。工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。这几个条件满足了，基本没问题。主要参数1.开启电压VT；·又称阈值电压；源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;2. 直流输入电阻RGS：栅源极之间加的电压与栅极电流之比，·特性有时以流过栅极的栅流表示，·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS：在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压；VDS ·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间击穿：MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

用于ACDC开关电源的高压MOS管要怎么选