ddr3地址线有多少，ddr3的地址线接乡庆上拉电压是什么意思

来源：整理时间：2024-02-11 22:44:06 编辑：亚灵电子网手机版

1，某DRAM芯片其存储容量为5128位问该芯片的地址线和数据线的数目分别

存储容量为512×8，则有8条数据线；因为2^19=512k，则有19条地zd址线。512表示可以存储512×1024=2^19位数据，同时读写8位数据。因为其存储容量是512K*8位，则它的数据线为8，地址线数为219=512K。SDRAM的容量=（SDRAM的总单元数）*（位宽）=(2^24) * 32 =2^29 bit。注：我这里算的是TQ2440开发板的整个SDRAM的总的容量，而不是只单独每一片的SDRAM的总的容量。若是单独每一片的SDRAM的容量 = 整个的SDRAM的容量 / 2。注：这里计算的单位是bit，若我们把它转化成字节数则是 2^29 bit / 8 = 2^26 Byte = 2^6 MB = 64 MB。扩展资料DDR地址线DDR3为减少地址线，把地址线分为行地址线和列地址线，在硬件上是同一组地址线；地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址，再送出列地址。一般来说列地址线是10位，及A0...A9；行地址线数量根据内存大小，BANK数目，数据线位宽等决定(感觉也应该是行地址决定其他) 。bank是存储库的意思，也就是说，一块内存内部划分出了多个存储库，访问的时候指定存储库编号，就可以访问指定的存储库，内存中划分了多少个bank，要看地址线中有几位BA地址，如果有两位，说明有4个bank，如果有3位，说明有8个bank

某DRAM芯片其存储容量为5128位问该芯片的地址线和数据线的数目分别

2，ddr3的地址线接乡庆上拉电压是什么意思

ddr3动作电压：运作I/O电压司海州握越态旧是1.5V一般来说，电压越低，功耗也就越低。根据JEDEC的规范标准，通过提升硅晶圆芯片制造工火朝李黑艺而降低核心IO电压以提升性能的DDR3行茶求超苦由验房逐内存模组，会推出称作为DDR3L的低电压版本内存规范

ddr3的地址线接乡庆上拉电压是什么意思

3，为什么DDR3的芯片最多只有16位的数据线没有32位的

插槽是不一样，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。 DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3 UB DIMM 2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。一、DDR2与DDR3内存的特性区别： 1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages）由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。 4、寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。二、与DDR2相比DDR3具有的优点（桌上型unbuffered DIMM）： 1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。 2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），达到省电目的。 3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量（亦即单条模块可到8GB），但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题（注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限）。另外,站长团上有产品团购,便宜有保证

为什么DDR3的芯片最多只有16位的数据线没有32位的

4，ddr3如果有一根地址线未等长会怎么样

距离没超过30mil没事，超过的话信号传输会有问题。ddr地址线不等长，频率还不是很高，毕竟是数字信来自号，不是模拟信号，相位偏差不大侵再罗剂培束告结就成。DDR的设计一般数据线没有必要控制在+-5，控个+-20就可以了，地址线必蛋晶须要控制+-200其实问题不大但正常设计都是在100以内。地址线是用来传输地址信息用的。举个简单的例子：cpu在内存或硬盘里面寻找一个数据时，先通过地址线找到地址，然后再通过数据线将数据取出来。360问答一般要求就是要等长，信号才分别传输呢。

5，ddr3布线规则

第一步，确定拓补结构（仅在多片DDR芯片时有用）首先要确定DDR的拓补结构，一句话，DDR1/2采用星形结构，DDR3采用菊花链结构。拓补结构只影响地址线的走线方式，不影响数据线。以下是示意图。星形拓补就是地址线走到两片DDR中间再向两片DDR分别走线，菊花链就是用地址线把两片DDR“串起来”，就像羊肉串，每个DDR都是羊肉串上的一块肉，哈哈，开个玩笑。第二步，元器件摆放确定了DDR的拓补结构，就可以进行元器件的摆放，有以下几个原则需要遵守：原则一，考虑拓补结构，仔细查看CPU地址线的位置，使得地址线有利于相应的拓补结构原则二，地址线上的匹配电阻靠近CPU原则三，数据线上的匹配电阻靠近DDR原则四，将DDR芯片摆放并旋转，使得DDR数据线尽量短，也就是，DDR芯片的数据引脚靠近CPU原则五，如果有VTT端接电阻，将其摆放在地址线可以走到的最远的位置。一般来说，DDR2不需要VTT端接电阻，只有少数CPU需要；DDR3都需要VTT端接电阻。原则六，DDR芯片的去耦电容放在靠近DDR芯片相应的引脚以下是DDR2的元器件摆放示意图（未包括去耦电容），可以很容易看出，地址线可以走到两颗芯片中间然后向两边分，很容易实现星形拓补，同时，数据线会很短。以下是带有VTT端接电阻的DDR2元器件摆放示意图，在这个例子中，没有串联匹配电阻，VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远距离。以下是DDR3元器件摆放示意图，请注意，这里使用的CPU支持双通道DDR3，所以看到有四片（参考设计是8片）DDR3，其实是每两个组成一个通道，地址线沿着图中绿色的走线传递，实现了菊花链拓补。地址线上的VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远的地方。同样地，数据线上的端接电阻也放置在了靠近DDR3芯片的位置，数据线到达CPU的距离很短。同时，可以看到，去耦电容放置在了很靠近DDR3相应电源引脚的地方。第三步，设置串联匹配电阻的仿真模型摆放完元器件，建议设置串联匹配电阻的仿真模型，这样对于后续的布线规则的设置是有好处的。点击Analyze?SI/EMI Sim?Model Assignment，如下图。然后会出来Model Assignment的界面，如下图然后点击需要设置模型的器件，通常就是串联匹配电阻，分配或创建合适的仿真的模型。分配好仿真模型之后的网络，使用Show Element命令，可以看到相关的XNET属性。第四步，设置线宽与线距1. DDR走线线宽与阻抗控制密切相关，经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路，完全有条件针对高速线做单端阻抗控制；但对于混合电路，包含高速数字电路与射频电路，射频电路比数字电路要重要的多，必须对射频信号做50欧姆阻抗控制，同时射频走线不可能太细，否则会引起较大的损耗，所以在混合电路中，本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。到目前为止，本人设计的混合电路产品中，最高规格的DDR是DDR2-800，未作阻抗控制，工作一切正常。2. DDR的供电走线，建议8mil以上，在Allegro可以针对一类线进行物理参数的同意设定，我本人喜欢建立PWR-10MIL的约束条件，并为所有电源网络分配这一约束条件。3. 线距部分主要考虑两方面，一是线-线间距，建议采用2W原则，即线间距是2倍线宽，3W很难满足；二是线-Shape间距，同样建议采用2W原则。对于线间距，也可以在Allegro中建立一种约束条件，为所有DDR走线（XNET）分配这样的约束条件。4. 还有一种可能需要的规则，就是区域规则。Allegro中默认的线宽线距都是5mil，在CPU引脚比较密集的时候，这样的规则是无法满足的，这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距，小线宽的区域规则。第五步，走线走线就需要注意的内容比较多，这里只做少许说明。所有走线尽量短走线不能有锐角尽量少打过孔保证所有走线有完整的参考面，地平面或这电源平面都可以，对于交变信号，地与电源平面是等电位的尽量避免过孔将参考面打破，不过这在实际中很难做到走完地址线和数据后，务必将DDR芯片的电源脚，接地脚，去耦电容的电源脚，接地脚全部走完，否则在后面绕等长时会很麻烦的第六步，设置等长规则对于数据线，DDR1/2与DDR3的规则是一致的：每个BYTE与各自的DQS，DQM等长，即DQ0:7与DQS0，DQM。等长，DQ8:15与DQS1，DQM1等长，以此类推。地址线方面的等长，要特别注意，DDR1/2与DDR是很不一样的。对于DDR1/2，需要设定每条地址到达同一片DDR的距离保持等长。对于DDR3，地址线的等长往往需要过孔来配合，具体的规则均绑定在过孔上和VTT端接电阻上，如下图。可以看到，CPU的地址线到达过孔的距离等长，过孔到达VTT端接电阻的距离也等长。补充一点，很多时候，地址线的等长要求不严格，这一点我还没有尝试过。在本人设计的这些产品中，地址线，数据线都做了25mil的Relative Propagation Delay的等长规则设定。关于等长规则设定的细节在这里不再赘述。第七步，绕等长完成等长规则的设定后，最后一步也是工作量最大的一步：绕等长。在这一步，我认为只有一点规则需要注意：尽量采用3倍线宽，45度角绕等长。绕等长完成后，最好把DDR相关网络锁定，以免误动。