ddr3阻抗控制在多少，ARM连接DDR2阻抗控制问题

本文目录一览

1，ARM连接DDR2阻抗控制问题
2，请问DDR3器件信号线单端差分的阻抗控制值是多少
3，ddr3的具体参数
4，DDR3的匹配电阻是必须的吗
5，ddr3做嵌入式设计在信号线控制线上是否可以不串联2030欧的匹
6，大家是怎么进行DDR3的PCB布线
7，allegro关于阻抗控制差分阻抗控制一些问题
8，GDD5 GDD3什么意思

1，ARM连接DDR2阻抗控制问题

走线别太长，尽量两个芯片等距，就没事。

arm指的是cpu类型，运行内存1g，是ddr3的

ARM连接DDR2阻抗控制问题

2，请问DDR3器件信号线单端差分的阻抗控制值是多少

器件不同，单端一般50差分90-100直接，由器件定

请问DDR3器件信号线单端差分的阻抗控制值是多少

3，ddr3的具体参数

频率1066~1600MHz

内存容量 2GB 工作频率(MHz) 1333MHz 接口类型 240 PIN 不同品牌内存的芯片是不同的。

ddr3的具体参数

4，DDR3的匹配电阻是必须的吗

是的，我就没采用过那种方法，直接在走线上设计阻抗，通过叠层、走线宽度和铜箔厚度来共同达到阻抗，一般控制50OHM左右，线和数据线等长设计。注意时序。

5，ddr3做嵌入式设计在信号线控制线上是否可以不串联2030欧的匹

是的，我就没采用过那种方法，直接在走线上设计阻抗，通过叠层、走线宽度和铜箔厚度来共同达到阻抗，一般控制50OHM左右，地址线和数据线等长设计。注意时序。

应该不是吧。

6，大家是怎么进行DDR3的PCB布线

观看此视频后，您将获得最重要的信息，这将帮助您模拟自己的PCB布局。我们将使用Cadence Sigrity，SystemSI，SPEED2000和Allegro。 00:00 / 01:28:0370% 快捷键说明空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽不再出现可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

7，allegro关于阻抗控制差分阻抗控制一些问题

我之前时间刚做过DDR3这方面的设计，针对DDR3布线阻抗控制这方面，楼主说的没错，顶层跟底层是微带线，跟内层带状线在阻抗上是有区别，这时候，在内层的差分间距与线宽与外层须不一样，这时候坚持的原则是走线阻抗不变原则，具体在设置差分对的时候，对其设置线宽，线距可以对不同层进行设置，这样就可以实现阻抗不变。希望对楼主有用！

cadence的层叠的gnd层，要设置成平面层，而不是conductor。要告诉cadence这是一个大平面，而不是走线层。

阻抗。

你用polar大概模拟计算下，然后把需要管控的部分告知制板厂，让他们按照阻抗要求，进行管控

8，GDD5 GDD3什么意思

GDDR3,GDDR5都是是用于高性能显卡的专用图形储存器。与DDR2比，GDDR3的架构更接近于DDR2，也是由DDR2开发而来，作为显卡的专用显存。从速度上讲，GDDR3更接近于DDR2，与较新的DDR3有一定差距。且GDDR3与DDR3是完全不同的两代产品。与GDDR相比，GDDR3的主要创新表现为：工作电压从2.5V下降到1.8V；片内信号端接取代了GDDR中末端接的信号线；动态控制阻抗的输出驱动器；4位预取和单向单端数据选通。所有这些特性的综合效果就是更高的数据速率、更好的信号完整性和更低的功耗。由于这些变化，GDDR3存储器可以获得比GDDR和DDR2标准高得多的数据速率。 GDDR5的最大亮点就是带宽更高了，从16GB/s升至20GB/s，同时虽然电压还是保持在1.5V，但功耗会更低，因为GDDR5会自动降低空闲显存的频率，并支持错误纠正、适应性界面计时等多种新技术。按照奇梦达的说法，GDDR5的性能可达GDDR3 GDDR5的功耗会非常低，但性能更高，相当于目前800MHz GDDR3的三倍之多,同时可以提供两倍于GDDR4的容量，显存采用了新的频率架构，拥有更佳的容错性能。NVIDIA和ATI现在都已经为GDDR5在其未来的高端显卡上的应用做好了准备。除了用于桌面PC和笔记本显卡，GDDR5同样也会出现在未来的游戏主机中。据称，Intel的独立显卡也有可能采用GDDR5。