nand有多少bitline，nand flash的1页有几个WORD LINE呢是1个还是8个呢

来源：整理时间：2022-12-19 21:48:25 编辑：亚灵电子网手机版

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1，nand flash的1页有几个WORD LINE呢是1个还是8个呢
2，从物理结构上来说因为它不一定要所以NAND Flash 结构可以使用
3，读取NAND时容量 16MB 256MB 512MB 是什么概念
4，Nandu盘和noru盘各是什么英文的缩写谢谢
5，ssd有几个nandflash
6，nand flash 一个block是多大
7，读nand flash地址格式不同开机怎么读

1，nand flash的1页有几个WORD LINE呢是1个还是8个呢

当然是八个啊

你说呢...

nand flash的1页有几个WORD LINE呢是1个还是8个呢

2，从物理结构上来说因为它不一定要所以NAND Flash 结构可以使用

NAND Flash 它的最小单位是晶圆。它是通过晶圆有序的排列切割后组成的。

位线再看看别人怎么说的。

从物理结构上来说因为它不一定要所以NAND Flash 结构可以使用

3，读取NAND时容量 16MB 256MB 512MB 是什么概念

双90,单65,双65豪华版,slim版统一选择16MB而双65的Arcade版本里面有256MB和512MB版本,这个你可以在存储器上面看到...

读取NAND时容量 16MB 256MB 512MB 是什么概念

4，Nandu盘和noru盘各是什么英文的缩写谢谢

区别是U盘里面存储芯片用的是NAND FLASH 还是NOR FLASH，存储数据单元的结构、工作原理以及读写的操作都有所不同，但对于用户来说不用去关心这些，对于用户来说的直接表现为读取、擦除、写入数据的速度，NAND规格晶片写入与清除资料的速度快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。当然读写速度也很大程度受到接口主控芯片的影响，正规品牌U盘的参数中都标明实际的读取和写入速度，用户只要看实际的读写速度是不是满足要求就够了。具体可以去百度 nand nor 区别

是nand型的，这种特点是页读写，对于大数据量速度是块的，而且便宜，所以适合用来存放日常数据。而nor的特点是像eeprom一样，具体可以达到bit的读写，因此对于小数据的access能力强，但是要读写大数据的话，速度没nand来得快，而且贵，因此nor一般用来存放mcu的执行代码。希望对你有帮助。

5，ssd有几个nandflash

SSD中有多少闪存颗粒是不固定的，从工控SSD的单个颗粒，到两个颗粒、四个颗粒、八颗粒、十六颗粒的都比较常见。如果是PCIE SSD的话，可能会有更多个颗粒。

nand是目前闪存颗粒用的技术，ssd里面的存储颗粒就是一颗颗nand flash（闪存）slc表示一种闪存颗粒的类型，区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。如果最小存储单元只区分2个电位（高低电位），等于只能存储0或1，即1位（1bit）数据。这种类型的nand闪存就叫做slc。以此类推，还有mlc：最小存储单元区分4个电位，即00，01，10，11。tlc：区分8个电位。同样一个最小的存储单元，区分的电位越多，存储密度越大。假设一颗slc nand是1gb的话，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc会比后面的贵得多，容量也不容易做大。但slc好处是：区分的电位越多，每个电位间区别越小，读写速度越慢（难以识别和写入），寿命也越短（损耗一点点就错位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦写次数更多。目前的情况是，slc一般用于企业级ssd，以及intel智能响应技术的加速盘。mlc一般用于桌面级ssd。tlc的ssd因为技术和可靠性的原因几乎还没有。但tlc则已经几乎统治了u盘和存储卡市场（因为价格战太厉害，利润太低，没人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存储卡，u盘和存储卡存数据是很不可靠的哦。

6，nand flash 一个block是多大

bootblock　　主板上的引导块Boot Block 　　 BOOTBLOCK是BIOS中一段特定的区域，包含有用于引导的最小指令集，正常的BIOS升级操作不能消除这段信息。如果BIOS升级失败，可以利用BOOTBLOK来重新恢复，具体步骤如下：　　现在用Award BIOS的主板都有一个BIOS引导块，当你升级BIOS时，这一小部分引导块可以不被覆盖(Boot Block Write 跳线设置为“Disable”，并且在运行Flash程序时，不选择“Update BIOS Including Boot Block”方式)。这个BIOS引导块只支持软驱和ISA显示卡，所以很多人在升级BIOS失败后，当主板上仍插PCI显卡时，启动电脑会黑屏，但电脑却能读软驱，这就意味着主板的BIOS仍可以恢复。这个BIOS引导块可以引导正常的DOS启动盘并执行Autoexec.bat，只要把Flash程序和正确的BIOS文件拷贝到DOS启动盘上，然后在Autoexec.bat中添加上执行升级Flash BIOS的语句，如Awdflash Biosxxx.bin。可以在一台正常的电脑上做好这张盘，拿到需要恢复的电脑上运行；或找块ISA显卡插到电脑上，启动后执行软盘上的升级程序。如果没有ISA显卡，也可以在启动后黑屏的情况下，自己动手运行升级程序。这时电脑仍可以正常运行，只是屏幕没有显示，只要升级时键入的内容完全正确，一样可以成功。　　它的操作：　　1.准备一张DOS启动盘；并Copy下列文件到这张盘上：　　_PHLASH.EXE (V1.40); 　　_PLATFORM.BIN (V1.01); 　　_HI0101.FUL (BIOS IMAGE FILE)，BIOS版本不同，该文件会略有不同，扩展名相同; 　　_AUTOEXEC.BAT; 　　2.创建一个新的Autoexec.bat文件，其中加入下一行命令：phlash /V /mode=3 /b=.bin /exit .ful 　　3.打开机箱；把主板上10位开关中的第9位，从缺省ON拨到OFF；　　4.插入步骤1准备好的DOS盘；　　5.起动机器，BOOTBLOCK开始从软盘加载BIOS,整个过程屏幕上没有显示,最后成功结束的信号是一长声　　6.按住电源开关5秒，关掉机器；　　7.将Switch中的第9位拨回Open位置，拔出DOS启动盘

7，读nand flash地址格式不同开机怎么读

开机是机器自动读的！只要你把OM[0:1]设成nandflash启动就行了！系统自动读出4K到内部sram!

fisrt part ： nand flash和nor flash的不同 nor flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。nand flash使用复杂的i/o口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。nand的读和写单位为512byte的页，擦写单位为32页的块。 ● nor的读速度比nand稍快一些。 ● nand的写入速度比nor快很多。 ● nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。在nor器件上运行代码不需要任何的软件支持，在nand器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(mtd)，nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。 ---------摘抄自网上流传很广的《nand 和 nor flash的区别》 second part： nand flash结构与驱动分析一、nand flash的物理组成 nand flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是nand device的位宽。这些line会再组成page，(nand flash 有多种结构，我使用的nand flash 是k9f1208,下面内容针对三星的k9f1208u0m)，每页528bytes(512byte(main area)+16byte(spare area))，每32个page形成一个block(32*528b)。具体一片flash上有多少个block视需要所定。我所使用的三星k9f1208u0m具有4096个block，故总容量为4096*（32*528b）=66mb，但是其中的2mb是用来保存ecc校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64mb。 nand flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： column address：starting address of the register. 翻成中文为列地址，地址的低8位 page address ：页地址 block address ：块地址对于nand flash来讲，地址和命令只能在i/o[7:0]上传递，数据宽度是8位。二、nand flash地址的表示 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的nand，这512byte被分成1st half page register和2nd half page register，各自的访问由地址指针命令来选择，a[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用a[13:9]，即该page在块内的相对地址。a8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。block的地址是由a14以上的bit来表示。例如64mb（512mb）的nand flash（实际中由于存在spare area,故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即a[25:14]，如果是128mb(1gbit) 的528byte/page的nand flash，则block address用a[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block nand flash 的地址表示为： block address|page address in block|halfpage pointer|column address 地址传送顺序是column address,page address,block address。由于地址只能在i/o[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512mbit x8的nand flash，地址范围是0~0x3ff_ffff，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以nand_addr 为例：第1 步是传递column address，就是nand_addr[7:0]，不需移位即可传递到i/o[7:0]上，而halfpage pointer即a8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写，而真正的a8 的值是不需程序员关心的。第2 步就是将nand_addr 右移9位，将nand_addr[16:9]传到i/o[7:0]上；第3 步将nand_addr[24:17]放到i/o上；第4步需要将nand_addr[25]放到i/o上；因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。如果nand flash 的容量是32mb（256mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。下面，就x16 的nand flash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 a8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的nand使用方法和 x8 的使用方法完全相同。三、nand flash驱动解读以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的nand flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了nand flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。在s3c2410处理器中有专门的nand flash控制器，他们位于sfr区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，有关nand flash的驱动都在driver/mtd/nand/下，该目录中包含的源文件：smc_core.c是nand flash的主要驱动。 nand flash 芯片定义了一个很长的结构，这个结构中包含了操作nand flash的函数和一些必要的变量（include/mtd/nand.h）。 struct nand_chip #ifdef config_mtd_nandy void (*hwcontrol)(int cmd); void (*write_cmd)(u_char val); void (*write_addr)(u_char val); u_char (*read_data)(void); void (*write_data)(u_char val); void (*wait_for_ready)(void); int page_shift; u_char *data_buf; u_char *data_cache; int cache_page; struct nand_smc_dev *dev; u_char spare[smc_oob_size]; #else …… #ifdef config_mtd_nand_ecc u_char ecc_code_buf[6]; u_char reserved[2]; #endif #endif }; 纵观对nand flash的各种操作（read、write、erase），无外乎如下几种操作： 1．选择flash nand_select() 2．发送命令 nand_command() 3．进行相应操作 read，write…… 4．反选nand flash nand_deselect() 下面是以上四步的实现代码： 1、选择nand flash #define nand_select() this->hwcontrol(nand_ctl_setnce); \ nand_command(mtd, nand_cmd_reset, -1, -1); \ udelay (10); hwcontrol(nand_ctl_setnce)的作用是设置2410的nand flash configuration (nfconf) register的nand flash memory chip enable位为0，这位寄存器在自动重启后就被系统自动清零。如果要访问nand flash的内存，这位必须置1。 nand_command(mtd, nand_cmd_reset, -1, -1)；向flash发送命令，此命令为reset，即为重置nand flash。然后是10us的延迟，给flash个反应时间。 2、发送命令 nand_command()同样在smc_core.c中实现。nand flash的命令有如下几种：命令命令值描述 nand_cmd_read0 0 读操作 nand_cmd_read1 1 读操作 nand_cmd_pageprog 0x10 页编程操作 nand_cmd_readoob 0x50 读写oob nand_cmd_erase1 0x60 读写操作 nand_cmd_status 0x70 读取状态 nand_cmd_status_multi 0x71 读取状态 nand_cmd_seqin 0x80 写操作 nand_cmd_readid 0x90 读flash id号 nand_cmd_erase2 0xd0 擦写操作 nand_cmd_reset oxff 复位操作按照程序的注释，可以将该函数的实现分为如下几步： 1、begin command latch cycle 实现代码： this->hwcontrol(nand_ctl_setcle); this->hwcontrol(nand_ctl_dat_out); 找到第二条语句的定义，发现什么都么做，不解!!希望达人解答。我猜想可能是一个数据读出的使能操作，允许数据读出。 command latch enable(cle) and address latch enable(ale) are used to multiplex command and address respectively, via the i/o pins. the cle input controls the path activation for commands sent to the command register. when active high, commands are latched into the command register through the i/o ports on the rising edge of the nwe signal. 看了这段英文相信对第一条语句的作用已经十分清楚了，他就是用来控制向命令寄存(command set (nfcmd) register)发送命令的。 2、 write out the command to the device 这部分对于不同的命令来说，操作的步骤也不太相同，如果为写操作，那么还有根据flash不同的容量决定操作步骤，具体可以参看代码。如果为其他命令，那么就是简单的一行： this->write_cmd (command); 将命令直接想到命令寄存器（nfcmd[7:0]）中。 3、 set ale and clear cle to start address cycle & serially input address 1中已经提到了ale和cle的作用，现在开始发送地址。实现代码： this->hwcontrol(nand_ctl_clrcle); // clear the command latch enable this->hwcontrol(nand_ctl_setale); // set the address latch enable 然后按位操作，是用函数write_addr()将地址写到nand flash address set (nfaddr) register中。 4、 latch in address 实现代码： this->hwcontrol(nand_ctl_clrale); this->hwcontrol(nand_ctl_dat_in); 地址发送完毕，清楚ale。 5、 pause for 15us 我使用的vivi中，使用udelay (15)延时15us，但这个时间会因nand flash的不同而不同。三、operation 根据函数的不同，操作部分会不一样，但是主要的是对nand flash data (nfdata) register的操作，或写（编程）或者读。通过读或写函数的参数来返回或传递读出的值或写入的值。写得操作通常比较麻烦，他要将写到flash的内容重新读出后进行ecc校验，如果数据正确则在重新真正的写（编程），如果错误，则将数据写入flash的另一个块。读和写都是以页为单位进行操作。而擦除则以块为单位，三个周期发送完地址。擦除完毕后同样需要进行检察以确定是否擦除成功。四、de-select the nand device 实现代码： #define nand_deselect() this->hwcontrol(nand_ctl_clrnce); 反选flash吧，不知这样叫正确与否，跟select the nand device相反，亦即使用完后将使能flash位清0，代码是nfconf位于0x4e00_0000的位置（nfconf |= nfconf_nfce_high;），有兴趣的可以读读代码，看看这是怎么实现的，我的感觉就是关于寄存器的清置读起来都比较晕。基于三星k8f2g08u0m存储芯片的读写操作，如命令、地址、数据的读写时序，读芯片id、页读、页写、随机读、随机写，坏块的检测、标记及处理。（1）写命令子函数 void write_command(unsigned char com) flash_cle = 1; flash_ale = 0; flash_we = 0; xbyte[xp] = com; flash_we = 1; } （2）写地址子函数 void write_address(unsigned char addr) flash_cle = 0; flash_ale = 1; flash_we = 0; xbyte[xp] = addr; flash_we = 1; } （3）写数据子函数 void write_data(unsigned char dat) flash_cle = 0; flash_ale = 0; flash_re = 1; flash_we = 0; xbyte[xp] = dat; flash_we = 1; } （4）读数据子函数 unsigned char read_data(void) unsigned char dat; flash_cle = 0; flash_ale = 0; flash_we = 1; flash_re = 0; dat = xbyte[xp]; flash_re = 1; return dat; } (5) 读id函数 flash_cen = 0; //读id write_command(0x90); write_address(0x00); aa1 = read_data(); //0xec aa2 = read_data(); //0xda aa3 = read_data(); //无所谓 aa4 = read_data(); flash_cen = 1;