霍尔系数一般是多少，半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

来源：整理时间：2024-03-16 07:29:27 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，半导体的霍尔系数的数量级是多少啊
2，霍尔系数的数量级是多少单位是厘米每库仑
3，霍尔系数一般为多少米的三次方每库仑
4，霍尔电压值放大后是多少
5，霍尔系数单位是什么
6，一般来说霍尔元件灵敏度KH为多少
7，霍尔元件的主要技术参数

1，半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

一般是10^（-3）

那要根据你产品的类型来分，一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级。工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑

半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

2，霍尔系数的数量级是多少单位是厘米每库仑

用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10~(-5)cm~3/col,电阻率为1.97×10~(-6)Ω·cm.实验方法简便,设备容易获得:与所见文献数据比较,数量级是一致的

霍尔系数的单位是cm^3/col，数量级是10^(-5)霍尔系数是在计算霍尔电势的时候，用到的一个参数。当材料一定时候，霍尔系数是个常量。如用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10^(-5)cm^3/col。

霍尔系数的数量级是多少单位是厘米每库仑

3，霍尔系数一般为多少米的三次方每库仑

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：　　UH=RH/d*IC*B （1）　　式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。　　设RH/d=K,则式（1）可写为：　　UH=K*IC*B (2)　　可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。

霍尔系数一般为多少米的三次方每库仑

4，霍尔电压值放大后是多少

霍尔元件输出电压为UH=KHISB其中KH为霍尔系数，IS为激励电流，B为垂直于与IS方向垂直的磁感应强度分量。也就是说，霍尔元件输出电压与上述三者都有关系。至于放大后是多少？还取决于放大器的放大倍数。一般集成霍尔元件，内置放大器，输出最高电压接近工作电源的电压。LEM公司的LA 25-NP/SP11，额定一次电流为1A，穿心10次。

1、目前lem公司官网公开的最高电压的霍尔传感器是lv200-aw/2/6400，最高测量电压为6400vrms。2、有用户称可定制10kv的传感器。这一点，个人观点是：霍尔电压传感器主要用于变频测量，相对互感器而言，可以测量直流和频带较宽是其重要特性，而6400v的传感器带宽只有700hz，精度是1%。其宽频带特性已不显著，如果不是很低频率，采用互感器或许效果更好，定制的意义不大。3、对于高压变频测量，推荐参考anyway变频功率传感器。

5，霍尔系数单位是什么

霍尔系数的单位是米的三次方每库仑。——立方米/库仑(m3/C)霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH/d*IC*B （1）式中，RH称为霍尔系数，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。设RH/d=K,则式（1）可写为：UH=K*IC*B (2)可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。在式（2）中，若控制电流IC,为常数，磁感应强度B与被测电流成正比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。

霍尔系数（又称霍尔常数）rh 在磁场不太强时，霍尔电势差uh与激励电流i和磁感应强度b的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即uh =rh*i*b/δ，式中的rh称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另rh=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。

6，一般来说霍尔元件灵敏度KH为多少

一、霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。二、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。扩展资料：元件特性：1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔最大允许激励电流以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。参考资料来源：搜狗百科-霍尔元件

你说的应该是线性霍尔的KH，市场上的产品一般是一点几毫伏/高斯到五毫伏/高斯，如果你是大学物理里的霍尔实验那个值可能会到十以上，具体看实验用具

霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度，而线性型通常电流I由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。线性型霍尔元件中，从原理上看，由VH=KHIB变为VH=KHB，单位变为mV/G，此时灵敏度一般在1~5mV/G 左右。扩展资料：霍尔灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小，即在单位磁感应强度B和单位控制电流I时，产生霍尔电压的大小。在霍尔效应中，霍尔元件的灵敏度与霍尔元件的厚度和载流子的浓度两个因素有关。由霍尔元件灵敏度的计算公式可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。其中，K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。参考资料来源：搜狗百科-霍尔元件参考资料来源：搜狗百科-霍尔系数

从原理看：vh=khibkh称为灵敏度。单位为mv/(ma.g)实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度。线性型通常电流i由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。vh=khb。单位变为mv/g一般在1~5mv/g，假设供电电流为10ma，也可转变为：kh=0.1~0.5mv/(ma.g)

7，霍尔元件的主要技术参数

霍尔系数（又称霍尔常数）RH灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）额定激励电流最大允许激励电流输入电阻输出电阻温度系数不等位电势（又称霍尔偏移零点）输出电压电压输出比率寄生直流电势不等位电势电势温度系数仅从实际使用出发主要关心的是 1、2、3、9。

1. 霍尔系数（又称霍尔常数）rh2. 灵敏度kh（又称霍尔乘积灵敏度）3. 额定激励电流4. 最大允许激励电流5. 输入电阻6. 输出电阻7. 温度系数8. 不等位电势（又称霍尔偏移零点）9. 输出电压10. 电压输出比率11. 寄生直流电势12. 不等位电势13. 电势温度系数仅从实际使用出发主要关心的是 1、2、3、9。

霍尔元件的输出特性曲线　　①输入阻抗RIN:在规定的条件下，霍尔元件控制电流端子之间的阻抗。　　②输出阻抗RouT:在规定的条件下，霍尔元件霍尔电压产生端子之间的阻抗。　　③控制电流IC:流过霍尔元件控制电流端的电流，它与磁场相互作用产生霍尔电压。　　④不等位电势VO:霍尔元件在额定控制电流的作用下，若不给元件加外磁场，输出的霍尔电压的理想值应为零，但由于存在着电极的不对称以及材料电阻率不均衡等因素，霍尔元件会输出电压，该电压称为不等位电势。其值与输人电压和电流成正比。VO电压很小，一般不超过lmV。　　⑤灵敏度KH:在某一规定控制电流条件下，霍尔电压与磁感应强度的比值。　　⑥霍尔电压VH:由霍尔效应引起霍尔元件产生的电压。图所示是霍尔元件在恒流源和恒压源下的霍尔电压与磁通密度之间的典型曲线，即输出特性曲线。　　⑦霍尔电压的温度特性:当温度升高时，霍尔电压减少，呈现负温度特性

1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH 在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。 2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔最大允许激励电流以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。 6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输入电阻。 7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。 8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。 9、霍尔输出电压在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。 10、霍尔电压输出比率霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率 11、霍尔寄生直流电势在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。 12、霍尔不等位电势在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。 13、霍尔电势温度系数在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。14、热阻Rth霍尔元件工作时功耗每增加1W，霍尔元件升高的温度值称为它的热阻，它反映了元件散热的难易程度，单位为：摄氏度/whttp://baike.baidu.com/view/282539.htm