mos辅助电压是多少，TPS54231内部MOS的SD击穿电压是多少

1，TPS54231内部MOS的SD击穿电压是多少

28V所以输入的电压不要超过28V

TPS54231内部MOS的SD击穿电压是多少

2，电力MOSFET驱动电压是多大

MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。

电力MOSFET驱动电压是多大

3，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

4，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类似的三极

MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，严重了会直接烧坏。栅极驱动电路的作用就是使“电容”更快充电，使MOS管导通或关断速度更快。大功率三极管也需要电流驱动电路啊，提供三极管导通所需的基极电流。

5，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

6，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

7，MOS 10N60 开启电压多少

10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A，耐压值为600，这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大，一般都在3~5V，而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管，其开启电压低的仅有1V，大部分都在3V以下。

一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。

8，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

9，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。

10，mos 开启电压 08v吗

各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。

根据功率，和其他要求，开启电压也有所不同，一般是0.3V到3v左右

你好！各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

管子不同门槛电压不同，我用过的一般最小2V,还是大点好，否则管子内诅很大

是根据工作电压的0.3

不是，一般在2v左右，详细的建议查看具体datasheet