二极管死区电压是多少，硅二极管的死去电压是多少V

1，硅二极管的死去电压是多少V

硅二极管的死区电压0.5 V左右

硅二极管的死去电压是多少V

2，一般硅锗二极管的死区电压为多少导通电压后又是多少

硅死区电压0.5伏，导通压降0.7锗的死区电压0.1伏，导通压降0.3伏。

硅管死区电压0.5，锗管0.2；导通后，硅管0.7锗管0.3

一般硅锗二极管的死区电压为多少导通电压后又是多少

3，关于二极管的死区电压和导通压降

因为实际应用的二极管并不是理想的，所以会有门槛电压和通态压降。将二极管伏安特性的线性部分用切线来替代，切线与电压轴的交点，被定义为门槛电压，有时称为 “死区电压”；当二极管的电流达到额定电流时，二极管两端的电压降称为通态压降。实际的二极管外特性，是按照其伏安规律变化的，不同的外部条件，特性会略有差异；只要二极管施加有电压，就会有电流流过，不管正反向；只是流过二极管电流的大小在某些区域呈线性，而某些区域不是。

关于二极管的死区电压和导通压降

4，锗二极管的死区电压约为

1）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为ma级，硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流is很小。 2）在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值ur后，电流才明显增长。通常把电压ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的is远小于锗二极管的is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5v~0.6v, 锗二极管的门限电压约为0.1v~0.2v。

5，二极管伏安特性上有一个死区电压什么是死区电压硅管和锗管的死区

死区电压：简单的说就是低于这个电压管子就不能导通的电压，典型值硅管为：0.75V典型值锗管为：0.35V

所谓死区电压:由于pn结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给pn结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于pn结内部的自建电场。也由于二极管内部的材料是半导体，它对电压有一定的阻力。电压过低，则无法破坏pn结内部的自建场，所以不同材料的管子，也就有不同的死区电压.硅的pn结电压是0.7v,而锗是0.3v.