igbt结温是多少，英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行

本文目录一览

1，英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行
2，怎么测电磁炉中IGBT的结温
3，半导体IGBT测试条件中 Tj150 是什么意思
4，有谁实测过苏泊尔C21S19电磁炉的IGBT热敏电阻在常温下是多少没有
5，如何通过英飞凌的IGBT资料计算出IGBT所需的散热面积最后计算
6，西门康官网如何计算IGBT模块的结温
7，icpuls是igbt的什么参数

1，英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行

既然是infineon的，你去官网下datasheet嘛。里面有允许最大结温，目前使用习惯是实际工作最大温度=允许最大结温-25℃

英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行

2，怎么测电磁炉中IGBT的结温

IGBT的结温是直接测试不到的，你可以测试IGBT铜基板PC（小电流管子没有铜散热基板那就测试IGBT散热外壳）的温度在根据此时IGBT的损耗功率和数据手册上的热阻算出来。不过也有间接的测试方法如IEC 60747-9这个标准内就描述了怎么测试结温。

怎么测电磁炉中IGBT的结温

3，半导体IGBT测试条件中 Tj150 是什么意思

1、Tj是指工作温度范围，存储温度范围，（PN）结温（即管芯内部温度）范围；是衡量芯片受环境温度影响的参数，你问的就是它的PN结温是150度。 2、Tj通俗一点说就是IGBT管子内部的温度，另外有一个参数是Tc，这个指的是壳温，就是IGBT外部包封的温度。 3、比如说我要在-20度到80度之间使用芯片，那么符合条件的芯片的工作温度就必须使用工业级芯片-40～85度。

半导体IGBT测试条件中 Tj150 是什么意思

4，有谁实测过苏泊尔C21S19电磁炉的IGBT热敏电阻在常温下是多少没有

你好！放在IGBD是10k在电磁炉盘上100k 下次提问加100积分？？？仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

负温度电阻NTC(炉面与IGBT)是否正常？是否有+5V （负温度电阻NTC在常温25℃的情况下应该阻值在46~58K之间，有的电磁炉负温度电阻NTC也用100K。单个负温度电阻NTC在98℃ 开水里，它是电阻值是2~3K。另：九阳JYZD-22豆浆机温度传感器NTC 正常阻值为69~74Ω，当环境温度为27℃时，它阻值为19.6KΩ，当环境为23℃时，它阻值为20.9KΩ。

5，如何通过英飞凌的IGBT资料计算出IGBT所需的散热面积最后计算

这不好直接计算，因为散热与损耗、风道、风量等有关，IGBT的手册只能算出大致损耗来，但是也不是很准确，因为IGBT的损耗与驱动电路、导通压降、温度因素有关，英飞凌的官网有仿真软件可以计算损耗，这相对要准确一些，至于散热面积一般是根据计算出来的损耗再用热仿真软件来计算，最后通过实测来定型。

因为igbt模块是大功率器件，在工作时会产生大量的热量。但是igbt模块的正常工作时结温范围是-40°c--150°c。所以要维持igbt芯片的正常工作就需要散热器帮助其散热。散热方式通常有风冷、水冷、散热金属片（铜材或铝材）等。不知这回答是不是楼主想要的？

6，西门康官网如何计算IGBT模块的结温

先将传感器取下，然后用万用表在测传感器两端的同时给传感器加热看阻值变化，应该是温度升高阻值降低。是负温度的热敏电阻。（指针表用1k档，数字表用200k档）。用万用表测，25°一般为100千欧，大于25°小于100千欧，小于25°大于100千欧。热敏电阻器是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器（ptc）和负温度系数热敏电阻器（ntc）。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器（ptc）在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器（ntc）在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。热敏电阻将长期处于不动作状态；当环境温度和电流处于c区时，热敏电阻的散热功率与发热功率接近，因而可能动作也可能不动作。热敏电阻在环境温度相同时，动作时间随着电流的增加而急剧缩短；热敏电阻在环境温度相对较高时具有更短的动作时间和较小的维持电流及动作电流。

首先选择你使用的IGBT型号，IGBT用在什么什么电路拓扑中，工作频率是多少，输入电压、、输出电压、输出功率或输出电流以及环境条件，按照它的提示选择相应的项，官网会自动帮你算出来的，提供的数据越准，算出来的结温越准。

7，icpuls是igbt的什么参数

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：集电极电流（符号：IC ）：集电极所允许的最大直流电流。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：耗散功率（符号：PC）：单个IGBT所允许的最大耗散功率。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：结温（符号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：漏电流（符号：IGES ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：饱和压降（符号：V CE（sat））：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：输入电容（符号：Clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。