mos vgs多少，增强型MOS场效应管若VGS0VD5VS端之后连有电阻然后接

来源：整理时间：2023-05-08 15:13:18 编辑：亚灵电子网手机版

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1，增强型MOS场效应管若VGS0VD5VS端之后连有电阻然后接
2，请教一下MOS管的参数说明想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎
3，请问如果驱动mos管电压VGS小于手册上标准值可以吗
4，mos参数问题
5，驱动电压VGS小于3V的低压N沟道MOS有那些型号
6，MOSFET主要参数什么意思
7，CMOS逻辑电路的MOS参数

1，增强型MOS场效应管若VGS0VD5VS端之后连有电阻然后接

到底是D端之后连有电阻还是S端之后连有电阻，怎么问题补充和题目不一致？估计是D端之后连有电阻,这样的话VDS在0.6V左右。

还是0

你是要开启是5v左右的吗？

增强型MOS场效应管若VGS0VD5VS端之后连有电阻然后接

2，请教一下MOS管的参数说明想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

1，这是P MOSFET管，所以当VGS为负压的时候才会导通2，在VGS=5V时候最大电流，这个不是计算出来的，而是规格书上面有的3，RDS是导通后源极和漏极的导通电阻，从你资料上看，VGS=-10V的时候导通电阻只有75耗欧姆

任务占坑

请教一下MOS管的参数说明想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

3，请问如果驱动mos管电压VGS小于手册上标准值可以吗

可以啊，不过这样MOS管的效率可能就不高了，建议搭电路来计算一下

1、日系的可以做到，尤其富士的。2、富士fap-|||b系列的vgs大多是1.5v。这些是低压管，市场定位不太匹配，可能成本比较高。3、列举几个型号给你：2sk2806-01；2sk2808-01mr；2sk2896-01l，s。

请问如果驱动mos管电压VGS小于手册上标准值可以吗

4，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

5，驱动电压VGS小于3V的低压N沟道MOS有那些型号

AO4410 低开启电压大电流 SOP-8封装

1、日系的可以做到，尤其富士的。2、富士FAP-|||B系列的VGS大多是1.5V。这些是低压管，市场定位不太匹配，可能成本比较高。3、列举几个型号给你：2SK2806-01；2SK2808-01MR；2SK2896-01L，S。

最大电压是正负20v。irfp2907pbf参数:75v,4.5mo,177a,330w制造商: international rectifier 产品种类: mosfet rohs: 符合rohs 详细信息晶体管极性: n-channel vds-漏源极击穿电压: 75 v vgs-栅源极击穿电压 : 20 v id-连续漏极电流: 209 a rds on-漏源导通电阻: 4.5 mohms 配置: single qg-栅极电荷: 410 nc 最大工作温度: + 175 c pd-功率耗散: 330 w 安装风格: through hole 封装 / 箱体: to-247-3 封装: tube 商标: international rectifier 通道模式: enhancement 下降时间: 130 ns 最小工作温度: - 55 c 上升时间: 190 ns 工厂包装数量: 25 典型关闭延迟时间: 130 ns

6，MOSFET主要参数什么意思

Mosfet参数含义说明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

你的提问，太不专业了，应该是从一个表上拷的数据吧，很乱。一些典型值，最大值之类的，导通电阻RDS(ON)，最大栅极电压VGS(V)等。最好是把DATASHEET的表拷整齐点下来

由上到下依次是封装类型，适用电路，源漏极击穿电压，导通源漏电阻，漏极电流25摄氏度，漏极电流100摄氏度，栅极电荷（典型值），栅漏极电荷（典型值），热阻，耗散功率，后面三个是关于是否在产，是否含铅，和安装类型

与问题的难度相比，你的悬赏太少了。

你所问的是MOSFET的一些基本参数，下面资料有自己看吧。

7，CMOS逻辑电路的MOS参数

1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 。4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内。6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内。7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间。8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。

cd4000和cd4500系列cmos逻辑电路通常标称最大输出能力高低电平均为6.8毫安，但速度较低。74系列cmos逻辑电路种类繁多，速度比cd4000和cd4500系列高许多倍。输出能力也不同，从几毫安到几十毫安，这些输出电流是指在保持驱动逻辑电平定义区域的电流输出，超出驱动逻辑电平定义区域，其电流输出能力还要高一倍到几倍，有些上百毫安。比如逻辑电路输出接大功率晶体管切换继电器，就可以不考虑逻辑驱动电平定义区域。以8驱动器74244为例，以下为74系列中全部使用（如74hc）或部分使用（如74abt)cmos技术的ic，不包括纯双极型，如74ls,74f等。低为低电平吸入电流，高为高电平扇出电流，单位为毫安。型号低高-----------------------------------------74abt244 64 3274ac244 24 2474act244 24 2474acq244 24 2474hac244 8 874haalb16244 24 2474alvc244 24 2474alvch244 24 2474alvt1624 64 3274alvtc16244 64 3274alvth162244 12 874avc244 12 874avc+244 12 874avch244 12 1274bct244 64 1574c244 70 7074hc244 8 874hct244 8 8c74lcx244 24 24c74lcxh1624 12 12c74lcxz1624 12 1274lvc244 24 2474lvch244 24 2474lvcz244 24 2474lvq244 12 1274lvt244 64 3274lvtch16244 24 2474lvth244 64 3274lvtn16244 64 32c74lvx244 4 474vcx16244 24 2474vcxh16244 24 2474vhc244 8 874vhct244 8 8