MOS管管身能承受多少重力，我想问的是mos管那么细小的管脚真的能承受几百安培的电流吗还有

来源：整理时间：2023-04-14 22:48:59 编辑：亚灵电子网手机版

1，我想问的是mos管那么细小的管脚真的能承受几百安培的电流吗还有

几十安是有的，上百安就不太可能了，我所知道及使用过的igbt最大的也就85N06

mos管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

我想问的是mos管那么细小的管脚真的能承受几百安培的电流吗还有

2，关于MOS管的

MOS管有了绝缘层,当在其栅极加上电压时,绝缘层内才能有电场形成沟道,改变栅极电压大小就可改变电场强度,从而改变沟道宽度,进而控制漏原极电流.只有栅极和内部相连,随便找个地方怎么行?朋友,不能机械地理解绝缘.

开启电压是指mos由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20v。

关于MOS管的

3，MOS管很容易被损坏为什么

因为它们是电压形器件，对电压很明感。比如人体产生的静电又是高达上万伏。早已超出了管子的耐压值。是管子损坏。

mosfet的性能好，是指它的开关速度快，导通电阻小，易于并联，容易驱动，和是否易坏是两回事。mos管损坏通常是因为过压、过流、过热、栅极静电击穿所致。防静电是指栅极氧化层阻抗很大，容易在静电累积时造成击穿，通常在栅源极之间并联电阻，减小静电泄放通路阻抗来避免。h桥除上述一般击穿机理外，还容易出现误触发而直通短路，这是拓扑本身决定的。

MOS管很容易被损坏为什么

4，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？

先从变压器下手

是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a

作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

5，有关MOS管的技术问题

可以把驱动波形一并传上来不？下面是我前几天试验的，电路跟你的相同，参数：R21＝2k，R22＝10k，R28取消，三极管分别是8050和8550，MOS管为IRF840，用示波器上的1KHz方波驱动。（图中：青色为PWM端，红色为MOS 管G极，蓝色为MOS管 D极（用灯泡做负载时）感觉是Q3开通太慢，延迟达到3－4uS。觉得你的PWM载频太高了，20K左右不行吗？这个电路肯定会产生时延，另外对MOS管来说，G驱动上升时间达到1uS不知道可以不？

如果你的目的是让led发光，那么这里mos的作用就是开关了，做开关导通的时候，mos工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明vds>vgs-vt，也许直接mos管把你准备用来给led的开启电压都用光了。。。当然了，还是得看整体电路。

计算机系开模电的

留个言。拿分，回头再看看行不。

MOS有4种类型。。。。对增强型的MOS，正向电压大与开启电压即可。对耗尽型的MOS，正向电压不小于夹断电压即可。所谓正向电压可以理解为保证MOS正常工作的偏置电压。正向电压=VGS 栅和源间的电压。不知道你懂了没？

6，mos管的作用

MOS管的作用 MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止. MOS管　　MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。　　一、MOS管的作用是什么？　　目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。　　二、MOS管的性能参数有哪些？　　优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。　　还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。　　电感与MOS管是如何合作的？　　通过上面的介绍，我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。　　主板上的PWM(Plus Width Modulator，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。

7，MOS管选择注重的参数有哪几项

1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。　　相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。　　低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小　　一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。　　若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。　　需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。　　除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。　　若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。　　注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。