n型半导体的电导率大概多少，半导体电导率有哪些特性

来源：整理时间：2022-12-07 06:28:22 编辑：亚灵电子网手机版

1，半导体电导率有哪些特性

导电率比较优异，有的甚至可以反向，可以制作各种电学性原件。

半导体电导率有哪些特性

2，N型半导体主要是以什么导电的

N型半导体，主要是在单晶硅中掺入磷杂质形成的，以多余的电子为主要导电粒子。

n型半导体主要靠电子导电，所以是电子电流

N型半导体主要是以什么导电的

3，单纯的N型半导体能导电吗

当然可以，N型半导体中掺杂了5族的杂质，有很多的电子空穴对，能够参与导电

本征导电性能最差。n型靠电子导电，p型靠空穴导电（空穴实际不存在的），电子迁移率比空穴高。

单纯的N型半导体能导电吗

4，请教大家单纯的P型N型半导体能导电吗

本征导电性能最差。N型靠电子导电，P型靠空穴导电（空穴实际不存在的），电子迁移率比空穴高。

应该是一样的吧，n型多一个电子，p型多一个空穴。所以浓度一样时，多子浓度也一样

5，p型半导体和n型半导体靠什么导电

p型半导体靠空穴导电，n型半导体靠自由电子什么导电。其实他们都是靠自由电子导电，只不过p型半导体导电是感觉好像是空穴在移动。

这个不是说哪个导电强的，要看掺杂度的。一般来说，掺杂越多，导电能力越强，但如果掺杂的太多的话，反而会阻止半导体的导电能力。

6，什么是N型半导体什么是P型半导体

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。（两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。）多子与少子是相对概念。如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。 ----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。

7，霍尔传感器为什么基本上采用N型半导体材料呢

在N型半导体材料中，电子的迁移率比空穴的大，且N型半导体的导电率比空穴的大，因此，一般多采用N型半导体作为霍尔传感器的材料。N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

在N型半导体材料中，电子的迁移率比空穴的大，且N型半导体的导电率比空穴的大，因此，一般多采用N型半导体作为霍尔传感器的材料。再看看别人怎么说的。