为了防止静电的危害，一般CMOS器件的输入电路都装有吸收静电的保护电路。（Cmos电路具有高输入阻抗，这使得器件容易受到外部干扰、冲击和静电击穿，因此，为了保护CMOS管的氧化层不被击穿，通常在其内部输入端连接一个二极管保护电路，如图所示，以防止激励电流过大而击穿gs电极，这是一个泄漏电阻，由于MOS管的输入阻抗极高，输入电压会在G电极处积累，一直导通，信号无法控制。
与背栅接触孔结合的保护环可以吸收大部分空穴和少数载流子，从而使寄生双极晶体管无法导通（BJT管导通时会形成正反馈电路，对电路影响很大）。根据所用MOS晶体管的不同，MOS门电路可分为三种类型:第一种是由PMOS晶体管组成的PMOS门电路，工作速度较低；第二种是由NMOS管组成的NMOS门电路，其工作速度比PMOS电路快，但不如TTL电路快。
ESD保护电路的仿真只能模拟二极管导通的值，而ESD器件的尺寸可以通过仿真来确定。如果输入端的静电能量积累到一定程度，二氧化硅层就会被击穿或损坏，导致所谓的“栅极穿透”或“栅极泄漏”现象，集成电路就会失效，反向击穿是无法模仿的，而我们在集成电路中应用的主流ESD结构既可以正放电也可以负放电，所以模拟的意义不大，需要经验。
