VBR击穿电压VBR:击穿电压。在瞬态峰值脉冲电流的作用下，当流经TVS的电流从原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极的电压从额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿，TVS:单向TVS的伏安特性，单向TVS的正向特性与普通齐纳二极管相同，反向击穿拐点近似。
VBR击穿电压VBR:击穿电压。在瞬态峰值脉冲电流的作用下，当流经TVS的电流从原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极的电压从额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿，TVS:单向TVS的伏安特性。单向TVS的正向特性与普通齐纳二极管相同，反向击穿拐点近似。
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【电路分析】 日期：2025-03-28
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