它不仅受阈值电压和跨导等芯片参数的影响，还受封装杂散电感的影响。走廊灯开启后，光敏电阻CDS的阻值变小，由于电容充电系数的影响，C3电容的存在使得A点的电压上升缓慢，延迟了达到基极-发射极导通阈值电压的时间，达到基极-发射极导通的阈值电压后，Q3导通，标为红色的B点被拉低至低电平。
当栅极电压达到阈值电压时，inter-CE电压将下降到0 V .此时，栅极电压将不再上升，而是保持在某个电压平台上，这就是所谓的米勒平台。此外，在以往的研究中，通常只考虑电源电路杂散电感对IGBT暂态均流特性的影响。事实上，IGBT是一个电压驱动器件，IGBT芯片的电流直接由驱动电压控制。不同驱动电路中杂散电感的差异会影响驱动电压，进而影响IGBT的瞬态均流特性。
减小米勒电容和增加阈值电压可以降低寄生传导的风险。通过对IGBT并联均流特性的电路分析，得出电源电路和驱动电路公共支路上的杂散电感会影响栅极电压的变化率，从而影响IGBT芯片之间的电流分配。因此，发射极杂散电感的差异主要影响导通过程中的电流不平衡。发射极杂散电感的差异主要影响导通过程中的电流分布。
对MOS管的管脚施加高电压进行耐压测试。栅极和漏极连接正电压，源极连接负电压。天黑后，RCDS和R9分支，由于CDS的电阻值变大，经过串联分压后，标记的红点A处的电压低于7V，无法达到Q3中基极-发射极导通的阈值电压，集电极和发射极处于截止状态，这使得标记的红点B为高电平（由R7中的上拉电阻提供）。
gate charge Qg的充电过程是怎样的？并联IGBT芯片的不均匀电流分布主要受发射极电感差异的影响。为了确保IGBT的稳定运行，需要根据栅极电感来确定驱动电流的峰值和最小值，如果驱动线的电感过高，则需要选择较大的RG电阻以避免振荡。栅极漏电会导致功耗增加、IC发热和阈值电压漂移，从而降低可靠性，稳态均流是指器件工作在DC或低频时IGBT芯片之间的电流分配特性，主要受芯片通态压降和封装接触电阻的影响。
