当在漏极-源极电极和栅极-源极电极之间施加正电压时，沟道打开，电子从源极流向漏极，导致电流从漏极流向源极。第五步，制作漏极，MOS晶体管保护电路分析实测功率MOS晶体管保护电路主要包括防止栅源间过压、防止漏源间过压、防止漏源间过压、防止过流短路等几个方面，在自建H桥驱动电路时，需要选择合适的MOS晶体管和半桥驱动芯片，并注意MOS晶体管的漏极电流、栅源阈值电压和漏源导通电阻等参数。
n沟道MOS晶体管HKTD 90n 0可用于电源、电机驱动、适配器和其他应用。赫克泰生产的HKTD90N0是一款低压低功耗MOS晶体管，具有漏源电压30V、栅源电压20V、漏源电流90A、漏源导通电阻005、最小阈值电压2V、最大阈值电压5V、耗散功率90mW的特性。它采用先进的沟槽技术和低RDS（ON）电荷的出色设计，具有非常小的封装尺寸，易于安装和更好的散热性能。适用于BMS、电机驱动、电源开关、开关电路、稳压电路、高频电路、不间断电源等多种低功耗要求的电子应用场景。
AlGaN表面捕获的电子会导致表面漏电流和漏电流崩塌效应。然而，在正栅极电压下，蓝宝石基器件的漏电流明显更高，据说这需要进一步研究。MOS晶体管HKTD4N65可用于快速充电、电源和逆变器应用。赫克泰推荐的高压功率MOS晶体管HKTD4N65是由N沟道制成的功率MOS晶体管。最大漏源电压为650V，最大漏源电流为4A，最大栅源电压为30V，漏源导通电阻为2。最小阈值电压为2V，最大阈值电压为4V，最大功耗为1mW。它采用TO-252封装。它具有良好的散热性能、产品稳定性和可靠性，可用于电动工具、PD快充、电源、驱动器、电机控制器、变频器、适配器、逆变器、电池保护板、智能插头、智能扫地机器人、智能小家电等产品。
在晶片上依次沉积栅氧化层和右电极层以形成栅级控制结构。在钝化层中开孔并溅射金属以形成漏极-源极电极，MOS晶体管半桥驱动芯片的原理自举升压是一种通过对电容充电来获得更高电压的技术，可以使驱动MOS晶体管的G电极电压始终大于或等于Vgs（th），从而达到稳定的开关状态。BS170具有60V漏源电压、8V-1V栅源电压、/-20V栅源电压、2-5漏电流、830mW功耗、50-150F结温、10ns开关时间、150/W结温和2-5导通电阻的特性。
