当输入电压低于两个调节器的调节电平时，必须考虑NMOS阈值电压。PMU通过内部电压调节器和低电压检测器提供2V电源，当电压低于设定阈值时，可以发出中断或事件，当栅极电压达到阈值电压时，inter-CE电压将下降到0 V .此时，栅极电压将不再上升，而是保持在某个电压平台上，这就是所谓的米勒平台，减小米勒电容和增加阈值电压可以降低寄生传导的风险。
走廊灯开启后，光敏电阻CDS的阻值变小，由于电容充电系数的影响，C3电容的存在使得A点的电压上升缓慢，延迟了达到基极-发射极导通阈值电压的时间。达到基极-发射极导通的阈值电压后，Q3导通，标为红色的B点被拉低至低电平。n沟道MOS晶体管HKTD 90n 0可用于电源、电机驱动、适配器和其他应用。赫克泰生产的HKTD90N0是一款低压低功耗MOS晶体管，具有漏源电压30V、栅源电压20V、漏源电流90A、漏源导通电阻005、最小阈值电压2V、最大阈值电压5V、耗散功率90mW的特性。它采用先进的沟槽技术和低RDS（ON）电荷的出色设计，具有非常小的封装尺寸，易于安装和更好的散热性能。适用于BMS、电机驱动、电源开关、开关电路、稳压电路、高频电路、不间断电源等多种低功耗要求的电子应用场景。
通过选择低米勒电容、高阈值电压、使用负电压关断和用米勒箝位驱动芯片可以避免寄生导通。也就是说，PMOS的Vds压降变得更低，并且电流从主沟道传导，实现了低损耗和低温升。天黑后，RCDS和R9分支，由于CDS的电阻值变大，经过串联分压后，标记的红点A处的电压低于7V，无法达到Q3中基极-发射极导通的阈值电压，集电极和发射极处于截止状态，这使得标记的红点B为高电平（由R7中的上拉电阻提供）。
电动汽车充电器可以限制时间、电压、电流和温度，一旦超过阈值就会自动断开连接并停止充电。英飞凌IGBT7和CoolSiCMOSFET具有低米勒电容和高阈值电压，可以有效避免寄生导通，在白天，RCDS和R9支路的电阻值变小，经过串联分压后，标有红点A的电压高于7V，这导致Q3的基极到发射极逐一导通，集电极和发射极也连接起来，这使标有红点B的点降低到低电平。
