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管压降与门槛电压,锗管阈值电压

来源:整理 时间:2025-01-19 00:43:57 编辑:亚灵电子 手机版

三极管的压降是指集电极和发射极之间的电压。管压降可以理解为电流通过时两端的电压,比如二极管正向导通时的管压降,二极管的压降是电压和压降不是一个概念,(1)电压是由静电场物理能量差异产生的不同电势引起的单位电荷的量度,我认为:二极管导通后,随着电流的增加,压降会略有增加,但不是特别明显,整个电路的其他部分很可能会带来较大的误差;因此,通常将导通电压视为二极管的阈值电压或二极管的压降。

降与门槛电压,锗管阈值电压

二极管的管压降本质上还是一个电阻,但导通时电阻很小,不导通时接近无穷大,导通时电阻会分担一定的电压,所以称为管压降。三极管的管压降一般指集电极和发射极之间的电压,即Uce=Uc-Ue,其中Uc和Ue分别表示集电极和发射极对的“地”(即参考点)电压。在相同的电流下,压降越大,产热量越大。

低于此电压时,二极管不导通。电压方向定义为从高电位到低电位的方向,电压降乘以电流就是IGBT模块的散热量。在正常操作中,基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射极结电压降Ube,所以:Ub=Ue Ube,当变频器中的IGBT模块触发导通时,也会出现管压降。锗管等于单位正电荷在电场作用下从A点移动到B点所做的功。

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