假设VGS电压为负压且该电压的绝对值大于最小导通电压，则p沟道MOS晶体管用于开关。p沟道MOS晶体管是一种常用的场效应晶体管，其导通条件是VGS电压为负压，且电压的绝对值大于最小导通电压，简单来说，mos管通过G端的电平来控制D端和S端的导通，就像一个开关一样（G是按键，D和S分别是两边的连接线）。
关系是S极的电压可以无条件到达D极，MOS管失去开关功能。电路开启时的压降约为0。对于P沟道增强型MOS晶体管，在结构、符号和特性曲线方面与N沟道增强型MOS晶体管存在明显的对偶关系。场效应晶体管具有以下特点:（场效应晶体管是一种电压控制器件，通过VGS（栅极-源极电压）控制ID（漏极电流）；场效应晶体管的控制输入端的电流非常小，因此其输入电阻，
电路，降低多少电压和多少阻抗与具体型号有关，差异很大。上面是一个N沟道增强型MOS晶体管。N型和P型的区别在于一个是正电压启动（NMOS），另一个是负电压启动（PMOS）。MOS晶体管是指场效应晶体管，具有G（栅极）/D（漏极）/S（源极）三个端口，分为两种类型:PMOS晶体管（P沟道型）和NMOS（N晶体管（N沟道型）。
（它使用多数载流子导电。即当NMOS的G端处于高电平时，根据材料，场效应晶体管可分为结型晶体管和绝缘栅型晶体管，绝缘栅型晶体管可分为耗尽型晶体管和增强型晶体管。一般主板上的绝缘栅晶体管大多简称MOS晶体管，大多采用增强型N沟道，其次是增强型P沟道，结型晶体管和耗尽型晶体管几乎不用，只是驱动器无法提供相应的电流，导致输出减少。
