电路中的驱动芯片采用美国国际整流器公司的ir。根据百度百科，IR具有内部欠压保护功能，Id=，内部结构和工作原理框图如图所示，并结合外部电路具有保护和控制功能，电源模块方面，该电路芯片具有体积小、集成度高、响应快、偏置电压高、驱动能力强、内置欠压闭锁、成本低、易于调试和外部保护闭锁端口等优点。
它不仅包括基本的开关单元和驱动电路，而且输出直接发送到功率MOSFET驱动电路IR，其图形为http://member.ic .当灯泡开始放电时，VT和IR公司生产的大功率MOSFET和IGBT专用驱动集成电路可以实现MOSFET和IGBT的最佳驱动，同时还具有快速和完整的保护功能，因此可以提高控制系统的可靠性并降低电路的复杂性。
SD是电流检测端子。信号取自功率管S极与地之间的电阻，并通过运算放大器输出到标清，控制电压并降低振荡频率。其浮动通道的设计使其可以在不高于的总线电压下工作，参考资料:http://www.ic，com/icasp/pdf _ open.asp？半桥有两条腿，全桥有四条腿。互补半桥意味着两个支路的管的导电模型是互补的，一般上管是PNP管（或P沟道MOS管），下管是NPN管（或N沟道MOS管）。IGBT管与此类似。
